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진공의 굴절률 :



1 (참고로 공기 1.0003, 물 1.3, 다이아 2.4)

인덕턴스(유도계수) 단위 :



H (henry)

1F= :



1C/V (from Q=CV, C=Q/V)

E와 J 관계 :



J = σE

V, W, I 관계 :



W = V I t

전류(I), 전력(P)의 관계 :



P=IV

susceptance 단위 :



S

전자의 전하 :



e = -1.6×10-19C

컨덕티버티,conductivity 역수 :



비저항(ρ)

축전기의 병렬연결시 전체 C와 Q: C=C₁+C₂, Q=Q₁+Q₂

devices and network interfaces (/dev의 파일)들에 대한 man 섹션 번호? :



4

단자전압(V)을 기전력(Ε)으로 나타내면 :



V=IR=Ε-Ir

W = P t 단위로 :



1J = 1W·s

permeability 뜻 :



투자율

enthalpy 기호 :



H

투자율 영어로 :



permeability

Electron's charge :



1.6×10-19C

컨덕티버티,conductivity 역수 :



비저항(ρ)

∫sec2(x)dx = :



tan(x) + C

인덕턴스(유도계수) 단위 :



H (henry)

일률(P), 일(W)의 관계식 :



P=W/t, W=Pt

유전율 영어로 :



permittivity

전기장의 SI단위 :



F=qE에서 E=F/q이므로 N/C

I=Q/t이므로, 1A = 1... :



C/s

✔일(W)은 scalar? vector? :



scalar임. F와 s의 내적.

돌림힘과 힘의 관계 :



τ=r×F

자유 엔탈피 다른말로 :



깁스 에너지

∫sec(x)dx = :



ln|sec(x)+tan(x)|+C

ΔV :



= ∫E·dl = vBl

자속밀도의 단위는? :



자속/면적이므로, Wb/m²

일률(P), 일(W)의 관계식 :



P=W/t, W=Pt

일과 전위의 관계 :



V = W/q, W = q V

라플라스변환식 :



$\mathcal[L]?f(t)=\int_0^[\infty]e^[-st]f(t)dt=F(s)$ -- 211.107.225.195 2023-01-31

W=qV, W=Fd=qEd; V=Ed

자기장세기, 자계세기, 자계강도의 기호? :



H

비저항 :



길이 1m, 단면적 1㎡인 물질의 저항값 (단위 Ω·m). 물질의 고유한 값이다.

열평형상태에서 계의 온도(T)는 계의 에너지(E) 증가에 따른 엔트로피(S) 변화율의 역수로 정의된다. 1/T=∂S/∂E

임피던스 한글로? :



온저항

전자기에서 기호 G는? :



컨덕턴스

전력(P), 전압(V)의 관계 :



P=VI



(Random 40 quotes from FortuneCookies above.)


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