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단자전압(V)을 기전력(Ε)으로 나타내면 :



V=IR=Ε-Ir

(함수) 단사 영어로? :



injection

커널 루틴에 대한 man 섹션 번호? :



9

(함수) 단사 영어로? :



injection

(csch(x))' = :



-csch(x)coth(x)

비저항(ρ)의 역수 :



컨덕티버티,conductivity(σ)

직선운동의 p=mv는 원운동의 ( )에 비유 :



L=Iω

전기 용량 단위 :



F (farad)

계가 받은 열(Q)과 계에게 해준 일(W)의 합을 계의 에너지 변화량(ΔE)이라 하며, 아래와 같이 나타낸다 :



ΔE=Q+W (열역학 제1법칙)

전자의 질량 :



m_e = 9.1×10^-31kg

컨덕티버티,conductivity 기호 :



σ

unit of inductance :



H (henry)

ΔV :



= ∫E·dl = vBl

돌림힘과 힘의 관계 :



τ=r×F

깁스 에너지 혹은 자유 엔탈피(G) :



G=H-TS

유도계수 영어로? :



인덕턴스

∫csc(x)dx = :



ln|csc(x)-cot(x)|+C

admittance 기호? :



Y

저항 영어로 resistance, 그러면 비저항 영어로? :



resistivity /rì:zistívəti/

W = P t 단위로 :



1J = 1W·s

드브로이파 파장 λ= :



λ=h/mv (mv=입자의 운동량)

enthalpy 기호 :



H

전자의 질량 :



m_e = 9.1×10^-31kg

일과 전위의 관계 :



V = W/q, W = q V

전속밀도 = ? :



전기변위장 D

전기장의 SI단위 :



F=qE에서 E=F/q이므로 N/C

conductance 기호 :



G

P = W/t 단위로 :



1W=1J/s

비저항 단위 :



Ω·m

admittance 단위 :



S

가상의 닫힌 곡면 안에 든 전하의 총량과 그 닫힌 곡면에 대한 플럭스 사이에는 정비례관계가 성립하는데, 이를 ( )이라고 한다. 또 이 닫힌 곡면을 ( )이라고 부른다. 전하의 총량과 플럭스 사이의 비례상수는 ( )이다. :



가우스 법칙, 가우스 곡면, 진공의 유전율 (ε₀)

V :



= ∫E·dr

impedance 단위 :



Ω

(csch(x))' = :



-csch(x)coth(x)

전자기에서 기호 G는? :



컨덕턴스

공간의 크기(V), 분자수(N)일때 가능한 미시적 상태의 수(Ω) :



Ω=V^N

C library functions의 man 섹션 번호? :



3

엔탈피(H), 에너지(E), 압력(P), 부피(V) 관계 :



H=E+PV

전자기에서 기호 Y는? :



어드미턴스

(sech(x))' = :



-sech(x)tanh(x)

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(Random 40 quotes from FortuneCookies above.)

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