Memorize (1.1.5-test): Front Page

FortuneCookies BmkForExternalDevice, JavaAppletSites, ImageGallery, RandomPages, UserPreferences

P = W/t 단위로 :

1W=1J/s

devices and network interfaces (/dev의 파일)들에 대한 man 섹션 번호? :

4

∫tan(x)dx = :

ln|sec(x)|+C = -ln|cos(x)|+C

전기 용량 단위 :

F (farad)

주파수 다른말로? :

진동수

E와 D 관계 :

D = εE

관성: 물체의 속도를 그대로 유지하려는 성질 (질량에 비례) 그렇다면 회전관성은 :

물체의 각속도를 그대로 유지하려는 성질

자유 엔탈피 다른말로 :

깁스 에너지

Φ_B :

= L i

직선운동의 F=ma는 원운동의 ( )에 비유 :

τ=Iα

(csch(x))' = :

-csch(x)coth(x)

(tanh(x))' = :

sech²(x)

∫tan²(x)dx = :

= ∫(sec²(x)-1)dx = tan(x)-x+C

conductance 단위 :

S

전자기에서 기호 G는? :

컨덕턴스

유전율 영어로 :

permittivity

전기에서 ε, μ :

유전율(permittivity), 투자율(magnetic permeability)

열평형상태에서 계의 온도(T)는 계의 에너지(E) 증가에 따른 엔트로피(S) 변화율의 역수로 정의된다. 1/T=∂S/∂E

1F= :

1C/V (from Q=CV, C=Q/V)

가능한 미시적 상태의 수(Ω)일때 엔트로피(S) :

S = k ln(Ω) = k ln(V^N)

admittance 기호? :

Y

conductance 기호 :

G

conductance의 역수 :

저항(R)

비저항(ρ)의 역수 :

컨덕티버티,conductivity(σ)

축전기의 직렬연결시 전체 C와 V :

1/C=1/C₁+1/C₂, V=V₁+V₂

저항과 비저항의 관계식 :

R = ρ × (길이) / (단면적)

V :

= ∫E·dr

(Vim) change to end of the line :

C

Φ_B :

= ∫B·dA

conductance의 역수 :

저항(R)

unit of inductance :

H (henry)

(csch(x))' = :

-csch(x)coth(x)

깁스 에너지 다른말로 :

자유 엔탈피

1J, 1V, 1C 관계 :

1V = 1J/C

1F = 1C/V; C=Q/V, Q=CV

conductance 단위 :

S

비저항 단위 :

Ω·m

susceptance 단위 :

S

전기에서 ε, μ :

유전율(permittivity), 투자율(magnetic permeability)

sin(π) :

0

(Random 40 quotes from FortuneCookies above.)

	Front Page	MoniWiki FindPage TitleIndex BlogChanges RecentChanges KLDP