potential energy의 gradient를 구해서 -를 붙이면 :
보존력; F(r)=-∇U(r)
보존력; F(r)=-∇U(r)
자기장세기, 자계세기, 자계강도의 기호? :
H
H
enthalpy 기호 :
H
H
(Vim) 커서 바로 왼쪽 글자 지우기 :
X
X
전사함수(surjective function)는 ( )역과 ( )역이 같다. :
공역과 치역
공역과 치역
전자의 질량 :
me = 9.1×10-31kg
me = 9.1×10-31kg
가능한 미시적 상태의 수(Ω)일때 엔트로피(S) :
S = k ln(Ω) = k ln(VN)
S = k ln(Ω) = k ln(VN)
τ=Iα 에서 τ=rF 유도하기 :
τ=Iα=mr²(a/r)=rma=rF
τ=Iα=mr²(a/r)=rma=rF
단자전압(V)을 기전력(Ε)으로 나타내면 :
V=IR=Ε-Ir
V=IR=Ε-Ir
전기다발(electric flux) 기호와 식 :
Φ=EA ; Φ=E·A=EAcosθ ; dΦ=E·dA ; Φ=∫표면E·dA
Φ=EA ; Φ=E·A=EAcosθ ; dΦ=E·dA ; Φ=∫표면E·dA
cos(π) :
-1
-1
E와 J 관계 :
J = σE
J = σE
전자기에서 기호 G는? :
컨덕턴스
컨덕턴스
전기장의 SI단위 :
F=qE에서 E=F/q이므로 N/C
F=qE에서 E=F/q이므로 N/C
전기다발(electric flux) 기호와 식 :
Φ=EA ; Φ=E·A=EAcosθ ; dΦ=E·dA ; Φ=∫표면E·dA
Φ=EA ; Φ=E·A=EAcosθ ; dΦ=E·dA ; Φ=∫표면E·dA
(Vim) change to end of the line :
C
C
일과 전위의 관계 :
V = W/q, W = q V
V = W/q, W = q V
가상의 닫힌 곡면 안에 든 전하의 총량과 그 닫힌 곡면에 대한 플럭스 사이에는 정비례관계가 성립하는데, 이를 ( )이라고 한다. 또 이 닫힌 곡면을 ( )이라고 부른다. 전하의 총량과 플럭스 사이의 비례상수는 ( )이다. :
가우스 법칙, 가우스 곡면, 진공의 유전율 (ε0)
가우스 법칙, 가우스 곡면, 진공의 유전율 (ε0)
직선운동의 F=dp/dt는 원운동의 ( )에 비유 :
τ=dL/dt
τ=dL/dt
E와 J 관계 :
J = σE
J = σE
전기 용량 단위 :
F (farad)
F (farad)
컨덕티버티,conductivity 단위 :
S/m
S/m
자속과 자속밀도의 기호는 각각? :
Φ, B
Φ, B
reactance 단위 :
Ω
Ω
인덕턴스 한글로? :
유도계수
유도계수
전기에서 ε, μ :
유전율(permittivity), 투자율(magnetic permeability)
유전율(permittivity), 투자율(magnetic permeability)
직선운동의 m(질량)은 원운동의 ( )에 대응. :
I(회전관성/관성모멘트)
I(회전관성/관성모멘트)
(Vim) change a whole line :
S 또는 cc
S 또는 cc
inductance 단위 :
H
H
System call의 man 섹션 번호? :
2
2
전기변위장 = ? :
전속밀도 D
전속밀도 D
(함수) 전사 영어로? :
surjection
surjection
관성: 물체의 속도를 그대로 유지하려는 성질 (질량에 비례) 그렇다면 회전관성은 :
물체의 각속도를 그대로 유지하려는 성질
물체의 각속도를 그대로 유지하려는 성질
∫csc(x)dx = :
ln|csc(x)-cot(x)|+C
ln|csc(x)-cot(x)|+C
임피던스 기호? :
Z
Z
돌림힘과 힘의 관계 :
τ=r×F
τ=r×F
임피던스 한글로? :
온저항
온저항
전기에서 ε0 :
진공유전율
진공유전율
컨덕티버티,conductivity 역수 :
비저항(ρ)
비저항(ρ)
전자의 질량 :
me = 9.1×10-31kg
me = 9.1×10-31kg
(Random 40 quotes from FortuneCookies above.)
