//forked from [[다이오드,diode]], mklink
//writing (local)
//merge from [[RR:바이어스,bias]]

= 순방향 바이어스, forward bias =
[[순바이어스,forward_bias]]
{
순방향 바이어스, forward bias, 순바이어스

순방향바이어스전압 $V_D$ - 다이오드에 인가된.

[[전위,electric_potential]] 기준으로
[[애노드,anode]]전위가 [[캐소드,cathode]]의 전위보다 큰 경우.

[[pn접합,p-n_junction]]의 [[전위장벽]] [[potential_barrier]]이 낮아짐.
[[전류,electric_current]]가 흐름.
anode에서 cathode로 전류가 흐름.
}

= 역방향 바이어스, reverse bias =
[[역방향바이어스,reverse_bias]] 
{
역방향 바이어스, reverse bias, 역바이어스

[[전위,electric_potential]] 기준으로
[[애노드,anode]]전위보다 [[캐소드,cathode]]의 전위가 큰 경우.

[[pn접합,p-n_junction]]의 [[전위장벽]] [[potential_barrier]] 이 높아짐.
[[전류,electric_current]]가 흐르지 못함.
anode에서 cathode로 전류가 흐르지 못함.

}

= Boylestad =
바이어스 전위 기호 : V,,D,,

역방향 바이어스를 가한 상태 (V,,D,, < 0 V)
[[공핍영역,depletion_region]]이 확장된다. 이것이 장벽을 만들어 다수캐리어,majority_carrier 가 뛰어넘지 못하게 되어 다수캐리어의 흐름을 0으로 줄인다.
역방향 바이어스가 가해진 상황에서의 [[전류,electric_current]]는 역방향 포화 전류라고 하며, I,,s,,로 표기한다.

순방향 바이어스를 가한 상태 (V,,D,, < 0 V) forward-bias
p형 물질에 양전위를 n형 물질에 음전위를 가함으로써 만든다.
공핍영역의 폭이 줄어든다. 그로 인해 다수캐리어,majority_carrier 가 접합부를 가로질러 상당히 많이 흐르게 된다.

(Boylestad 11e ko p13-14)

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고체 물리학을 이용하여(?) 반도체 [[다이오드,diode]]의 일반적인 특성은 '''순방향 바이어스와 역방향 바이어스'''의 영역에 대해서 다음 식과 같다.
> $I_D = I_S\cdot\left( e^{V_D/n V_T} - 1 \right)$
여기서
 $V_D$ : 다이오드에 인가된 순방향 바이어스 전압
 $I_s$ : 역방향포화전류
 $n$ : 이상적인 요소(ideality factor) 동작 조건 및 물리적 구조에 대한 함수, 범위는 1~2 사이이고 많은 요소들에 대해 의존적이다 (이 책에서는 $n=1$ 일 때를 가정한다)

위 식의 [[전압,voltage]] $V_T$ 는 [[열전압,thermal_voltage]]이고
> $V_T = \frac{kT_K}{q}$
여기서
 $k$ : [[볼츠만_상수,Boltzmann_constant]] 1.38×10^^−23^^ J/K
 $T_K$ : [[절대온도,absolute_temperature]] (273+°C)
 $q$ : 전하량 1.6×10^^−19^^ C

(Boylestad 11e ko p15)

= 기타 =
통계/기계학습에서 '''bias'''에 대해서는 see [[편향,bias]]
[[부동소수점,floating_point]]의 '''bias'''에 대해서는 see local

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WpKo:바이어스
WpEn:Biasing