'''에너지 틈, 에너지 간격'''[* https://www.kps.or.kr/content/voca/search.php?et=en&find_kw=energy+gap], '''에너지 갭'''

기호: $E_g$

= 내 요약 =
insulator에서 energy gap은 크다.
semiconductor는 중간이다.
conductor에서 energy gap이 없다. (폭이 0이다)

semiconductor 중에서도 '''energy gap'''이 상대적으로
 * 큰 물질은 안정성을 요구하는 경우에,
 * 작은 물질은 민감성이 중요한 경우에 쓰인다.

= Boylestad =
세 반도체의 '''에너지 틈''':
E,,g,, = 0.67 eV (Ge)
E,,g,, = 1.1 eV (Si)
E,,g,, = 1.43 eV (GaAs)
[[valence_band]]에 있는 [[전자,electron]]가 [[자유전자,free_electron]]로 되기 위해서는
즉 [[conduction_band]]에 이르기 위해서는 에너지 레벨을 극복(rel. [[에너지준위,energy_level]], '''energy gap''')해야 한다.
...
'''Energy gap'''의 차이는 각 [[반도체,semiconductor]]의 온도변화에 대한 민감성을 내포한다.
예를 들어 Ge의 경우 온도가 증가할수록 열에너지를 흡수해서 전도띠로 들어가는 전자들의 수는 급격히 증가한다. 왜냐하면 '''에너지갭'''이 작기 때문이다. 그러나 Si나 GaAs의 경우 전도띠로 들어가는 전자의 수는 상대적으로 작을 것이다. [[에너지준위,energy_level]]의 변화에 대한 민감성은 장점과 단점을 가진다. 광검출기의 설계와 열에 민감한 보안 시스템은 게르마늄 소자가 어울린다. 그러나 안정성을 중요시하는 트랜지스터의 온도와 빛에 대한 민감성이 유해한 영향을 미칠 것이다.

(Boylestad 11e ko p7)

= Wikipedia en =
(시작부분)
고체물리,,solid-state_physics,,에서 '''energy gap'''이란, [[고체,solid]]에서 전자 상태가 존재할 수 없는 에너지 [[범위,range]].
다시 말해, [[상태밀도,state_density]](DoS)가 없어지는(vanishes) 에너지 범위.
특히 응집물질물리,,CMP,,에선, 더 추상적인 [[spectral_gap]]으로 알려졌다. 그래서 고체와 전자에만 한정되지 않는다.

(첫 문단 Band gap)
만약 '''energy gap'''이 material의 [[띠구조,band_structure]]에 존재한다면, 그걸 [[띠틈,band_gap]]이라고 부른다.

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MKLINK
[[띠틈,band_gap]]
[[에너지,energy]]
[[에너지준위,energy_level]]
[[구간,interval]]? [[범위,range]]? [[차이,difference]]?

WpEn:Energy_gap

... Ndict:energy+gap Google:energy+gap