#noindex
대충 [[전하,electric_charge]]를 띤 [[입자,particle]]가 (자유 공간, vacuum 말고) 어떤 [[매질,medium]] 안에서 얼마나 잘 움직일([[운동,motion]]) 수 있느냐... 에 대한 물리량?
종류는 대략 * carrier의 이동도(electron의 이동도, hole의 이동도), * Hall 이동도 (이상 반도체쪽), * [[이온,ion]]의 이동도(화학쪽), ...and? 등이 있다

rel.
이동([[운동,motion]]) [[속도,velocity]] ex. [[유동속도,drift_velocity]] ... 얼마나 잘 이동하느냐에 대한 것이므로, 이동속도와 관련.
[[carrier]] - KpsE:carrier [[캐리어,carrier]] [[운반자,carrier]] [[나르개,carrier]] 중 pagename TBD
[[산란,scattering]]이 '''이동도'''에 두 가지 영향을 주는데,
 lattice_scattering = phonon_scattering ... thermal_vibration 이 이동도에 영향을 줌.
  이동도는 대략 온도에 반비례. $\mu_L\propto \frac1{T^{3/2}}$
 ionized impurity scattering ... 불순물과의 [[쿨롱_힘,Coulomb_force]](see [[전기력,electric_force]])이 이동도에 영향을 줌.
  불순물의 농도가 높을수록 이동도가 낮아지지만, 온도가 높을수록 그 영향이 줄어듦. $\mu_I \propto \frac{T^{3/2}}{N_I}$
 온도가 낮을 때와 높을 때 위의 각각 하나씩이 dominant... 그래서 μ-T 곡선은 ∧ 모양을 띰. TBW

기호 ''μ'' $\mu$

[[물질,substance,matter]]에 따라,
 * Si : 낮은 이동도
 * GaAs : 높은 이동도 ... 고속의 고주파회로에 사용

높은 전자 '''이동도''' [[트랜지스터,transistor]] : HEMT (high electron mobility transistor) { [[WpEn:High-electron-mobility_transistor]] ... Google:HEMT Naver:HEMT }

<<tableofcontents>>

= carrier mobility =
[[carrier_mobility]] carrier_mobility

'''carrier mobility'''

KpsE:"carrier mobility" : "carrier mobility = 운반자 이동도, 나르개 이동도" ([[Date(2023-11-14T17:46:10)]])

번역:
운반자 이동도 (물백 전자이동도)

전자 이동도가 양공 이동도보다 훨씬 빠르다 - 이유?

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... 전기장에 의한 가속과 수정''([[결정,crystal]]의 번역)''에서의 [[충돌,collision]]은 캐리어에 __일정한__ 속도를 주게 되고, 속도 $v$ 는 전기장 $E$ 에 비례하게 된다.
 $v\propto E$
그러므로
 $v=\mu E$
이고 여기서 $\mu$ 는 '''이동도'''라 불리고, cm^^2^^/(V·s)으로 표현된다.
실리콘을 예로 들면
전자의 이동도는 ''μ'',,n,, = 1350 cm^^2^^/(V·s)이고,
정공의 이동도는 ''μ'',,p,, = 480 cm^^2^^/(V·s)이다.
물론 전자는 전기장과 반대 방향으로 움직이므로, 다음과 같이 속도 벡터로 표현된다.
 $\vec{v_e}=-\mu_n \vec{E}$
반면에 정공의 경우는 다음과 같다.
 $\vec{v_h}=\mu_p \vec{E}$
(Razavi 2e ko p19)

Naver:캐리어+이동도
Google:캐리어+이동도
Google:carrier+mobility

== 전자이동도 electron mobility ==
[[전자이동도,electron_mobility]]

금속이나 반도체에서 전자가 전기장 내에서 얼마나 빨리 움직이는지를 나타내는 정도. (물백)

[[https://terms.naver.com/entry.naver?docId=3537238&cid=60217&categoryId=60217 물리학백과: 전자이동도 Electron mobility]]
WpKo:전자_이동도
[[WpEn:Electron_mobility]] = https://en.wikipedia.org/wiki/Electron_mobility

[[전자,electron]]

== 양공이동도 hole mobility ==
'''hole mobility'''
[[양공이동도,hole_mobility]]

AKA '''정공이동도'''

[[양공,hole]] [[이동도,mobility]]

Ndict:"양공 이동도"
Ndict:"정공 이동도"

== 상대이동도 relative mobility ==
상대이동도 
relative mobility
[[relative_mobility]]

기호 $\mu_n$
물질 속의 자유 캐리어가 물질을 지나갈 수 있는 능력.
진성캐리어 intrinsic_carrier의 '''상대이동도'''는
||반도체 ||μ,,n,, (cm^^2^^/V·s) ||
||Si     ||1500 ||
||Ge     ||3900 ||
||GaAs   ||8500 ||
GaAs의 상대이동도는 Si의 다섯 배 이상인데, 이것은 갈륨비소로 만들어진 소자의 응답시간이 실리콘으로 만들어진 소자의 응답 시간보다 다섯 배 이상 빠르다는 것을 의미한다.
(Boylestad 11e ko p5)

Ggl:"relative mobility"
Ndict:"상대 이동도"

= Hall mobility =
[[Hall_mobility]]
Hall mobility

Hall mobility는 발음이 비슷한 hole mobility와 혼동 주의.

Naver:"Hall 이동도"
Google:"Hall 이동도"
Google:"Hall mobility"

REL
[[홀_전자,Hall_electron]]
{
홀 전위차([[홀_전압,Hall_voltage]])... TODO
[[https://terms.naver.com/entry.naver?docId=5937532&cid=60217&categoryId=60217 물리학백과: 홀전자 Hall electron]]
}

= See also =
[[아인슈타인_관계,Einstein_relation]]에 '''이동도'''와 [[확산계수,diffusion_coefficient]]와의 관계가 나타남.

----
[[https://terms.naver.com/entry.naver?docId=1166128&cid=40942&categoryId=32244 두산백과: 이동도 mobility]]
Ndict:이동도
Ndict:mobility