전자기학,electromagnetism




전위,electric_potential (AKA 전기퍼텐셜) V
전기장과의 비교:
전기퍼텐셜 $V=\frac1{4\pi\epsilon_0}\frac{q}{r}$
전기장 $\vec{E}=\frac1{4\pi\epsilon_0}\frac{q}{r^2}\hat{r}$
둘의 관계: 전기장을 적분하면 전기퍼텐셜임 $V=-\int_{i}^{f}\vec{E}\cdot d\vec{s}$
전력,power P

RLC:


인덕턴스,inductance (=유도계수) L
유도기,inductor (=인덕터)


저항(R)과 관련:


저항,resistance비저항,resistivity의 비교
저항 비저항(고유저항,저항률)
resistance resistivity
기호 R ρ
단위 Ω Ω·m
역수 G 컨덕턴스,conductance σ 컨덕티버티,conductivity
물체의 성질 물질의 성질, 도체/부도체 나누는 기준

저항,resistance R 컨덕턴스,conductance G
비저항,resistivity ρ 컨덕티버티,conductivity σ

임피던스,impedance Z =온저항
리액턴스,reactance X =반응저항







로런츠_힘,Lorentz_force과 동의어인 듯 아마도...
Up:
}
전자기유도,electromagnetic_induction
{
자기장 → 전기장 유도
이게 뭔소리?


}



일반적 근본적, 보다 단순하게 표현한 법칙
전류와 자기장의 관계 (I-B) 비오-사바르_법칙,Biot-Savart_law 앙페르_법칙,Ampere_s_law
전하 분포와 전기장의 관계 (Q-E) 쿨롱_법칙,Coulomb_s_law 가우스_법칙,Gauss_s_law

전기장에 가우스 법칙이 있다면
$\sum EAcos\phi=\frac{q}{\epsilon_0}$
q: 가우스 면 내부의 전하
자기장에는 앙페르 법칙이 있다

F, E, U, V 표
$F=k\frac{q_1q_2}{r^2}$ $E=k\frac{q}{r^2}$ $F=qE$
$U=k\frac{q_1q_2}{r}$ $V=k\frac{q}{r}$ $U=qV$
$U=Fd$ $V=Ed$




주파수 → 진동수,frequency









1. 개념 표

개념기호단위CLEANUP!
전하,electric_chargeQ, q C (coulomb) Q=It
전류,electric_currentI, i A (ampere)I=Q/t, i=dq/dt
전류밀도,current_densityJ A/m²
전기장,electric_field $\vec{E}$ N/C, V/m $\vec{E}\equiv\frac{\vec{F_e}}{q}$
전기변위장,electric_displacement_field or
전속밀도,electric_flux_density
$\vec{D}$ C/m2 $\vec{D}=\epsilon_0\vec{E}+\vec{P}$
자기장,magnetic_field중에서
자기선속밀도, 자속밀도,magnetic_flux_density
$\vec{B}$ T (tesla)자속을 면적으로 나눈 값이므로 당연히
B=Φ/A
1T=1Wb/m²
자기장,magnetic_field중에서
자계세기, magnetic field strength
$\vec{H}$ A/m
선속,flux Φ
전기선속, 전속,electric_flux ΦE
자기선속, 자속,magnetic_flux Φ, ΦB Wb (weber)
전위,electric_potential V, v V=W/Q, v=dw/dq J/C
전압,voltage, 전위차. 전위? V? ΔV?V (volt), 1V=1J/C

전위에
대해선 전위,electric_potential를 참조.
V = dW/dQ

기전력,electromotive_force,emf $\mathcal{E}$, E V 전압과 같은데 이름만 다른 이유?
기자력,magnetomotive_force,mmf $\mathcal{?}$
전력,power P, p P=W/t, p=dw/dt W (watt), J/s
일,work, 전기에너지,electrical_energy(에너지,energy) W J, Wh W=Pt=VIt=I2Rt=V2R/t
W=qΔV

Constitutive parameters of materials
항목 기호 단위 Free-space value
유전율,permittivity ε F/m $\vec{D}=\epsilon\vec{E}$ ε0 = 8.854…×10-12
투자율,permeability μ H/m $\vec{B}=\mu\vec{H}$ µ0 = 4π×10-7
컨덕티버티,conductivity σ S/m 0

컨덕턴스,conductance G S (siemens) 저항,resistance(R)의 역수
어드미턴스,admittance Y S (siemens) 임피던스,impedance(Z)의 역수
서셉턴스,susceptance B S (siemens) 어드미턴스의 허수부
임피던스,impedance Z Ω (ohm) =온저항, 어드미턴스,admittance(Y)의 역수
리액턴스,reactance X Ω (ohm) =반응저항, 임피던스의 허수부
저항,resistance R Ω (ohm)
전기용량,capacitance C F (farad)
인덕턴스,inductance, 유도계수 L H (henry)

전자기력,electromagnetic_force
전기력,electric_force Fe N $F_e=\frac1{4\pi\epsilon_0}\frac{|q_1| |q_2|}{r^2}$
자기력,magnetic_force FB N $\vec{F}{}_{B}=q\vec{v}\times\vec{B}$

전기력선 : 샘(source)에서 시작해서 sink에서 끝난다. (+)전하에서 시작해서 (-)전하로 들어간다. 면적 당 전기력선의 수가 전기장의 XXX(세기?).




2. 고딩 물리 전자기 부분

직선 도선에 전기가 흐르면 생기는 자기장(B)은 전류(I)에 비례, 거리(r)에 반비례
원형 도선에서는 r=(원형 도선의 반지름)
$B=k^{\prime}\frac{I}{r}$
$(k^{\prime}=\pi k)$

솔레노이드가 만드는 자기장
$B=k^{\prime\prime}nI$
$(k^{\prime\prime}=4\pi k)$
거리(지름)와 관련이 없다.

자기장의 방향에 수직으로 놓인 도선이 받는 힘
$F=BIl$
or 비스듬히 놓인 도선이 받는 힘
$F=BIl\sin\theta$
도선과 자기장이 나란하면 $\sin 0=0$ 이므로 힘이 0이 됨

플레밍의 왼손 법칙
F, B, I의 방향

4. 전기장과_자기장의_비교


전기장 자기장
퍼텐셜 전위 벡터 퍼텐셜 (See WpKo:벡터_퍼텐셜)
전하,electric_charge 자하,magnetic_charge

전자기유도,electromagnetic_induction
: 자기장에 의해 전기장이, 전기장에 의해 자기장이 유도되는 현상

7. Fleming?

플레밍의 왼손 법칙
$\vec{F}=q\vec{v}\times\vec{B}=I\vec{l}\times\vec{B}$
ell을 쓰면.. $=I\vec{\ell}\times\vec{B}$
l(엘)은 전류가 흐르는 방향

플레밍의 오른손 법칙
$e = \vec{B} l \vec{v}$
여기선 F(힘), B(자기장), I(전류)가 각각
v(도체의 운동속도), B(자기장), e(기전력,electromotive_force,emf)을 의미한다. 패러데이_법칙,Faraday_s_law에서 유도 가능.
(from namuwiki)

$F=\Delta q vB$
$=\left(\frac{\Delta q}{\Delta t}\right)(v\Delta t)B$
$=ILB$