AKA '''정전용량, 커패시턴스, 캐패시턴스''' 기호 $C$ 단위 F (farad) 1F = 1C/V (Q=CV, C=Q/V 에서 1F=1C/V) 매우 큰 단위라서 μF, nF, pF가 쓰인다. 정의: [[축전기,capacitor]]에 충전이 완료된 후, 축전기에 쌓인 전하량([[전하,electric_charge]] 양, Q, q)을 축전기 양 끝의 전위차([[전위,electric_potential]] [[차이,difference]] ΔV, [[전압,voltage]])로 나눈 물리량. $C\equiv\frac{Q}{\Delta V}$ 커패시터([[축전기,capacitor]])에 축적되는 전하량(Q)은 전압(V)이 높을수록, '''커패시턴스'''가 클수록 많이 축적된다. $Q = C V$ $C = \frac{Q}{V}$ 여기서, 단위는 1F = 1C/V Q는 [[전하,electric_charge]]의 양 V는 [[전압,voltage]] 같은 뜻의 다른 표현은 $C=\left|\frac{q}{\Delta V}\right|$ ... source? q, C, ΔV 모두 양수라는데? ## via http://www.kocw.net/home/search/kemView.do?kemId=1390063 4.2 마지막에서 모두 양수라 함.. $C\equiv\frac{Q}{\Delta V}$ 1 F ≡ 1 C/V 저장되는 에너지는 $E=\frac12CV^2$ CHK ---- <> = tmp 1 = from https://blog.naver.com/khc6619/220528129339 커패시터에 축적되는 전하 q는 $q=Cv$ 전류는 $I=\frac{Q}{t},\ i=\frac{dq}{dt},\ q=\int idt$ 대입하면 $Cv=\int idt$ $v=\frac1C\int idt$ 따라서 capacitor 양단 전위차는 전류를 적분한 형태. 그리고 t에 대해 미분하면 $\frac{dv}{dt}=\frac{i}{C}$ i에 대해 정리하면 $i=C\frac{dv}{dt}$ L, C, v, i 표로 만들면 || ||L(inductance) ||C(capacitance) || ||voltage(v) ||$v=L\frac{di}{dt}$ ||$v=\frac1C\int idt$ || ||current(i) ||$i=\frac1L\int vdt$ ||$i=C\frac{dv}{dt}$ || = 평행판 축전기의 전기용량 = 평행판 축전기 정전용량(=전기용량)은, 유전율이 클 수록([[분극,polarization]] 정도가 심해질수록), 판 면적(S)이 넓을수록, 판 사이의 간격이 좁아질수록 커진다. $C=\varepsilon\frac{S}{d}$ 여기서 ε: [[유전율,permittivity]] S: 극판의 면적 d: 극판 사이의 거리 또는 $C\propto \frac{\varepsilon A}{d}$ ---- 평행판 축전기의 전기 용량 유도법 $E=\frac{E_0}{\kappa}=\frac{V}{d}$ 축전기 내부 [[전기장,electric_field]]은 $E_0=\frac{q}{\epsilon_0A}$ 위에 대입하면 $\frac{q}{\kappa\epsilon_0A}=\frac{V}{d}$ q에 대해 정리하면 $q=\frac{\kappa\epsilon_0A}{d}V$ q=CV이므로, 전기용량은 $C=\frac{\kappa\epsilon_0A}{d}$ $\kappa$ : [[유전상수,dielectric_constant]] ---- from 二友출판사 기초물리학: 평행판 축전기의 전기용량 유도 면적 A인 두 도체판이 d만큼 떨어져 있고 각각 +Q, -Q로 대전되어 전하밀도 $\sigma=Q/A$ 이고 가장자리 효과를 무시하면 도체판 사이 전기장은 $E=\frac{\sigma}{\epsilon_0}=\frac{Q}{\epsilon_0A}$ 전위차는 $V=Ed=\frac{Qd}{\epsilon_0A}$ 따라서 전기용량은 $C=\frac{Q}{V}=\frac{Q\epsilon_0A}{Qd}=\epsilon_0\frac{A}{d}$ [[유전체,dielectric]]를 삽입한 후의 전기용량은 $C=\kappa\epsilon_0\frac{A}{d}$ = 고립된 전도체 구의 전기용량 = $C=4\pi\epsilon_0R$ from 二友출판사 기초물리학: 반지름 R인 구의 '''전기용량''' 계산법. 구에 전하 Q가 대전되면 무한 원점에서의 전위는 0이고 구의 전위는 kQ/R이므로 전위차는 V=kQ/R 따라서 $C=\frac{Q}{V}=\frac{Q}{kQ/R}=\frac{R}{k}=4\pi\epsilon_0R$ = parasitic capacitance = [[parasitic_capacitance]] - writing = See also = [[축전기,capacitor]] 극판 사이의 [[유전체,dielectric]]는 '''전기용량'''을 높여준다. [[유전상수,dielectric_constant]] κ배 만큼. ---- Twin: [[WpKo:전기용량]] http://www.ktword.co.kr/test/view/view.php?m_temp1=4576&id=1354 정전용량 Up: [[전자기학,electromagnetism]]