AKA '''전계, 전장''' // mv E to 전기장세기. // E, D에 specific한 내용 subpage로 이동. TODO Sub: E and D { $\vec{E}$ : [[전기장세기,electric_field_intensity]] (단위 N/C, V/m) $\vec{D}$ : [[전속밀도,electric_flux_density]] AKA [[전기변위장,electric_displacement_field]] (단위 C/m^^2^^) E와 D의 비교: 아래 [[전기장,electric_field#s-3]] } [[벡터장,vector_field]]의 일종. 전하로 인한 전기력이 미치는 공간. 전하를 두면 전기력이 가해지는 공간. '''전기장''' = 단위전하당 전기력, 정[[전기력,electric_force]] / [[전하,electric_charge]] $\vec{E}=\frac{\vec{F}}{q}$ 또는 주위에 영향을 주지 않는 [[시험전하,test_charge]]를 가정하여 - 이게 더 옳은 그런건가? $\vec{E}=\lim_{q_t\to 0}\frac{\vec{F}}{q_t}$ 시험전하가 0에 가까워야 하는 이유는 측정 대상인 전기장에 영향을 주면 안되므로? CHK 그런데 실제 전하는 양자화되어 있으므로 q는 0이 될 수 없으므로, 이상적인 상황을 가정하는 것인가? 전기장의 세기: 전기장에서 +1C의 전하가 받는 전기력 전기장 내의 한 점에 단위양전하(+1C)를 놓았을 때, 그 전하가 받는 전기력의 크기로 정함 전하의 크기에 대한 전기력 $\vec{E}=\frac{\vec{F}}{q}$ 전기장의 방향: 고전위인 양극에서 저전위인 음극으로 향함. 양전하에서 나가서 음전하로 들어오는 방향. (이것이 곧 힘의 방향) 전기장 E인 곳에서 전하량 q인 전하가 받는 [[전기력,electric_force]] F는 $F=qE$ 양전하는 전기장 방향으로, 음전하는 전기장 반대 방향으로 힘을 받는다. CHK [[전위,electric_potential]]와의 관계 $E=-\frac{\Delta V}{\Delta s}$ 전기장선(e. field line)은 등퍼텐셜면(equipotential surface)에 수직이다. 전기장선은 양전하에서 나오며 음전하로 들어간다. CHK Q: 전기장선과 전속의 차이???? ---- 점전하 q에서 거리 r만큼 떨어진 곳에서, 전하에 의한 전기장은 $\vec{E}=k_e\frac{q}{r^2}\hat{r}$ 점전하군(group of point charges)에 의한 어떤 점의 전기장은 [[중첩원리,superposition_principle]]에 의해 $\vec{E}=k_e\sum_{i}\frac{q_i}{r_i^2}\hat{r_i}$ 연속된 전하 분포(continuous charge distribution)에 의한 어떤 점의 전기장은 $\vec{E}=k_e\int\frac{dq}{r^2}\hat{r}$ (Serway) ---- 전기장 계산 점전하 $q$ $\vec{E}=\frac1{4\pi\varepsilon_0}\frac{q}{|\vec{r}|^2}\hat{r}$ 여러 점전하들 $\vec{E}=\frac1{4\pi\varepsilon_0}\sum_{i}\frac{q_i}{|\vec{r_i}|^2}\hat{r_i}$ 연속적 전하(continuous charge) $\vec{E}=\frac1{4\pi\varepsilon_0}\int \frac{dq}{|\vec{r}|^2}\hat{r}$ (최준곤) ## http://www.kocw.net/home/search/kemView.do?kemId=1032191 http://contents.kocw.or.kr/KOCW/document/2014/korea/choichungon1/02.pdf ---- 공간의 어떤 점을 $\vec{r}$ 이라 하면, 그 점에서의 '''전기장'''의 정의는 $\vec{E}(\vec{r})=\frac{\vec{F}(\vec{r})}{q}$ 단위 N/C 전기장에는 [[중첩원리,superposition_principle]]가 적용됨 $\vec{E}{}_{total}(\vec{r})=\vec{E_1}(\vec{r})+\vec{E_2}(\vec{r})+\cdots+\vec{E_n}(\vec{r})$ [[전기쌍극자,electric_dipole]]가 만드는 전기장의 크기는 $E\approx\frac1{2\pi\epsilon_0}\frac{p}{z^3}$ (Bauer) ---- [[가우스_법칙,Gauss_s_law]] [[구,sphere]]의 겉면적은 $4\pi R^2$ 전기장은 $E=k\frac{Q}{R^2}$ 둘을 곱하면, $4\pi k Q$ 이것은 R에 관계가 없음을 볼 수 있다. 전기장(E)에 면적(A)을 곱하면 $E\cdot A=4\pi k Q$ $=4\pi\frac{1}{4\pi\epsilon_0}Q$ $=\frac{Q}{\epsilon_0}$ ---- [[전하,electric_charge]]는 주위 공간을 전기장으로 만든다. 전기장 안에서 전하는 [[힘,force]]([[전기력,electric_force]])을 받는다. --기호 E, $\vec{E}$ -- E와 D가 있음? [[가우스_법칙,Gauss_s_law]]은 .. 단위 유도: F = q E 에서 E = F / q ('''전기장,electric_field''' = [[전기력,electric_force]] / [[전하,electric_charge]]) 따라서 단위 N/C E = V / d 따라서 단위는 V/m 전기장 from 전기퍼텐셜([[전위,electric_potential]]) $E=-\frac{\Delta V}{\Delta s}$ ---- 정의 $\vec{E}(\vec{r}):=-\vec{\nabla}V(\vec{r})$ [[TableOfContents]] = 전기장의 방향 = 양전하가 받는 [[전기력,electric_force]]의 방향과 같다. 음전하는 전기장의 방향과 반대로 전기력을 받는다. = 전기장 내 전기쌍극자 = 전기장 E에서 [[전기쌍극자모멘트,electric_dipole_moment]]가 받는 토크는 $\tau=pE\sin\theta$ ---- '''전기장''' 벡터 $\vec{E}$ 와 [[전기쌍극자,electric_dipole]] 벡터 $\vec{p}$ 로 기술한다. 전기장 E 내에 사이 거리가 d인 두 전하 +q, -q가 있다. 토크는 $\vec{\tau}=\vec{r}\times\vec{F}$ 그 크기는 $\tau=rF\sin\theta$ 모멘트 팔의 길이는 $r=d$ 힘은 $F=qE$ 따라서 쌍극자에 가해지는 토크의 크기는 $\tau=dqE\sin\theta$ 전기쌍극자모멘트가 $p=qd$ 이므로 토크의 크기는 $\tau=pE\sin\theta$ 벡터곱으로 표기하면 $\vec{\tau}=\vec{p}\times\vec{E}$ ---- '''전기장,electric_field''' 안의 [[전기쌍극자,electric_dipole]]에 가해지는 토크 $\vec{r}$ : [[모멘트,moment]] 팔 $\vec{F}$ : [[힘,force]] 회전축을 음전하 위치로 잡으면 양전하에 작용하는 힘만이 토크에 기여. 모멘트 팔의 길이: $r=d$ $F=qE$ 이므로, 토크는 $\tau=qEd\sin\theta$ [[전기쌍극자모멘트,electric_dipole_moment]]가 $p=qd$ 이므로 $\tau=pE\sin\theta$ and $\vec{\tau}=\vec{p}\times\vec{E}$ (Bauer) = E and D, E vs D, 비교 = 전기장: 보통은 E인데 D도 전기장으로 부르는 듯..??????????????CHK ||D ||[[전속밀도,electric_flux_density]] or [[전기변위장,electric_displacement_field]] ||C/m^^2^^ - 단위 면적을 통과하는 전기력선 || ||E ||[[전기장세기,electric_field_intensity]] ||N/C, V/m - 단위 양전하가 느끼는 전계의 강도 || 전속밀도 D electric flux density 전계강도 E electric field strength D = εE 전속밀도 = 유전율 × 전기장세기 [[전속밀도,electric_flux_density]] = [[유전율,permittivity]] × [[전기장세기,electric_field_intensity]] [[유전율,permittivity]] = D = 단위 D = [[전기변위장,electric_displacement_field]] = [[전속밀도,electric_flux_density]], 같은 것 AKA: [[전속밀도,electric_flux_density]] [[전기변위장,electric_displacement_field]] 전기변위 electric displacement 변위장 displacement field (표현이 다양한데 그 중 두 개의 표현에 대한 페이지를 만듦) = 전기장 세기 E = [[전기장세기,electric_field_intensity]] 기호: $\vec{E}$ E = F / q 단위: N/C or V/m 전기장의 세기(전계강도)는, 전기장 내에 놓여 있는 단위전하에 미치는 힘. 어떤 점에 있는 양의 단위 시험 전하(unit positive test charge)가 느끼는 힘. $\vec{E}=\lim_{Q\to 0}\frac{\vec{F}}{Q}$ 또는 간단하게 $\vec{E}=\frac{\vec{F}}{Q}$ = 아마도 D말고 E에 대해... CHK and CLEANUP = 단위 V/m or N/C [[전기력,electric_force]]을 전하(상황에 따라 [[시험전하,test_charge]]??? CHK )량으로 나누어 구한다. (따라서 N/C) $\vec{E}=\frac{\vec{F}}{q_0}$ $\vec{E}=\lim_{q\to0}\frac{\vec{F}}{q}$ 이 더 엄밀한 것인가? $\vec{E}(\vec{r})=\frac{Q}{4\pi\epsilon_0R^2}\vec{whatever...}$ [[도체,conductor]] 안에서는 0이다. '''전기장''' 내부의 [[전하,electric_charge]]는 힘(전기력)을 받고 있다. [[쿨롱_법칙,Coulomb_s_law]]에서 [[전기력,electric_force]]과 '''전기장'''의 관계를 이끌어 낸다. 쿨롱법칙과 겹치는 내용 { $q_1\to q$ 로 가는 벡터 $\vec{F_q}$ 를 생각하면, $\vec{F_q}=\frac{1}{4\pi\epsilon_0}\frac{qq_1}{|\vec{r}-\vec{r_1}|^2}\frac{(\vec{r}-\vec{r_1})}{|\vec{r}-\vec{r_1}|}$ (맨 뒤의 항은 [[단위벡터,unit_vector]]) 그렇다면 r에서의 전기장은 $\vec{E}(\vec{r})=\frac{\vec{F_q}}{q}=\frac{1}{4\pi\epsilon_0}\frac{q_1}{|\vec{r}-\vec{r_1}|^2}\frac{(\vec{r}-\vec{r_1})}{|\vec{r}-\vec{r_1}|}$ 이것이 쿨롱 법칙. n개의 점전하 $q_1,\cdots,q_n$ 이 있다고 하면, $\vec{E}(\vec{r})=\frac1{4\pi\epsilon_0}\sum_{i=1}^{n}\frac{q_i}{|\vec{r}-\vec{r_i}|^2}\frac{(\vec{r}-\vec{r_i})}{|\vec{r}-\vec{r_i}|}$ } [[가우스_법칙,Gauss_s_law]]에도 '''전기장''' 개념이 쓰인다. [[전기력선]]과 관계? - 가우스 법칙 참조 = cleanup = [[선속,flux]] [[전속,electric_flux]] [[전속밀도,electric_flux_density]] 명칭상으로는 이런 위계관계가 보이는데 실제로도 그런 위계관계가 존재하는가? TOASK = 점전하에 의한 전기장 = 전하 q에서 r만큼 떨어진 지점에서 시험전하 q,,t,,가 받는 힘은 [[쿨롱_법칙,Coulomb_s_law]]에 의해 $F=\frac{1}{4\pi\epsilon_0}\frac{qq_t}{r^2}$ 점전하 q로부터 r만큼 떨어진 지점 P의 전기장은 $E=\frac{F}{q_t}=\frac{1}{4\pi\epsilon_0}\frac{q}{r^2}$ 전기장을 벡터형식으로 표현하면 $\vec{E}=\frac{1}{4\pi\epsilon_0}\frac{q}{r^2}\hat{r}=\frac{1}{4\pi\epsilon_0}\frac{q}{r^3}\vec{r}$ 여기서 $\hat{r}$ : 전하 q를 원점으로 하고 P점으로 향하는 단위벡터 $\vec{r}$ : P의 위치벡터 $\vec{r}=r\hat{r}$ , 다시 말해 $\hat{r}=\frac{\vec{r}}{r}$ 의 관계가 있음 ([[위치벡터,position_vector]] 참조) from http://physica.gsnu.ac.kr/phtml/electromagnetic/charge/electricfield/electricfield.html = [[도체,conductor]]와 전기장 = 도체 안의 '''전기장'''이 0이 아닌 곳이 있다면, 0이 되도록 전자가 재배치됨 → '''도체 안의 전기장'''은 0 심지어 도체 안에는 알짜 [[전하,electric_charge]]도 없음, 표면에 위치함 (There is no net charge inside the conductor; all the net charge should be on the surface) '''도체 표면의 전기장''': 표면의 면전하밀도에 비례함. $E=\frac{\sigma}{\epsilon_0}$ See [[전하밀도,charge_density]] ---- 도체의 양단 [[전압,voltage]] $V$ 에 의해 도체 내부에 형성되는 '''전기장''' $E$ 는 $E=\frac{V}{l}\;\text{[V/m]}$ 이므로 [[자유전자,free_electron]]의 평균속도는 $u=\mu E=\frac{\mu}{l}V$ 그리고 단위 체적(1 m^^3^^)당 $n$ 개의 자유전자가 있다고 하면 단위시간(1 s)당 이동하는 [[전하,electric_charge]]의 총 량, 즉 [[전류,electric_current]]는 다음과 같다. $I=Anqu=\left( \frac{\mu Anq}{l} \right) V = \left( \sigma \frac{A}{l} \right)V$ 위의 식에서 $\sigma$ 는 --전도율--([[컨덕티버티,conductivity]], 전도도)로서 다음과 같이 정의된다. $\sigma = \mu nq$ 도체의 [[저항,resistance]]은 $R=\frac{l}{\sigma A}$ 로 정의되며 이로부터 전압과 전류의 관계는 $V=RI$ 또는 $I=\frac{V}{R}$ 로 주어지며 이를 [[옴_법칙,Ohm_law]]이라 한다. (신윤기 p6) = 균일한 전기장과 [[퍼텐셜에너지,potential_energy]] = 두 평행판 사이에 균일한 '''전기장''' E가 있고, 평행판 사이의 거리 d, 양전하의 전하량 q 전하 q는 F = qE 의 힘을 받는다. 양전하를 힘을 거슬러 옮기면 증가하는 퍼텐셜에너지, i.e. 전하를 옮기는 데 필요한 일 W: W = Fd = qEd 그런데 W = qV 이므로 qV = qEd 따라서 V = Ed, E = V/d 전기장과 [[전위,electric_potential]] W = qV Electric field('''전기장''') from electric potential: V=Ed에서 $E=-\frac{\Delta V}{\Delta s}$ See also [[전기퍼텐셜에너지,electric_potential_energy]] = [[전기력선]]과의 관계 = see [[전기력,electric_force]] 전기력선은 (+)전하(source)에서 나와서 (-)전하(sink)로 들어간다. (+)만 있으면 무한히 먼 바깥으로 향해 나아가고, (-)만 있으면 무한히 먼 곳에서 들어온다. 전기력선의 접선의 방향은 그 지점에서의 '''전기장의 방향'''이다. '''전기장의 세기'''는 전기력선의 밀도와 관련..... '전기장선,electric_field_line'하고 같은말인가? [[Date(2018-02-04T20:38:16)]] = [[컨덕티버티,conductivity]], [[전류밀도,current_density]]와의 관계 = 저 페이지들 및 [[옴_법칙,Ohm_law]] 참조 = [[축전기,capacitor]] 사이의 전기장 = 두 개의 면적 A인 평행한 금속판(+Q, -Q로 대전) 사이의 균일한 전기장은 $E=\frac{Q}{\epsilon_0 A}$ ([[가우스_법칙,Gauss_s_law]]에서 유도) = 전기장선 = 전기장선의 알짜 수는 닫힌 면 안의 알짜 전하에 비례하므로 가우스의 법칙은 Φ,,E,, = 상수 × q 그 상수는 4 π k = 1 / ε,,0,, 따라서 Φ,,E,, = 4 π k q = q / ε,,0,, = 직선 도선 주위 = 균일한 선전하밀도 λ>0의 긴 직선 도선에서 거리가 r인 곳에서 전기장의 크기는 $E=\frac{\lambda}{2\pi\epsilon_0r}=\frac{2k\lambda}{r}$ 균일한 면전하밀도 σ>0의 비전도체 무한평면이 만드는 전기장의 크기는 $E=\frac{\sigma}{2\epsilon_0}$ 균일한 면전하밀도 σ>0을 가진 전도체 무한평면이 만드는 전기장의 크기는 $E=\frac{\sigma}{\epsilon_0}$ 닫힌 전도체 내부의 전기장은 0 대전된 구형 전도체 외부의 전기장은 총 전하량과 같은 크기의 점전하가 구의 중심에서 만드는 전기장과 같다. = 대전된 긴 직선 도선이 만드는 전기장의 크기 (Bauer) = 원통 대칭 사용. 반지름 r, 길이 L인 원통형 가우스 표면으로 둘러싸인 선전하밀도 $\lambda$ 의 도선의 경우 $\Phi=EA=E(2\pi rL)=\frac{q}{\epsilon_0}=\frac{\lambda L}{\epsilon_0}$ 따라서 $E=\frac{\lambda}{2\pi\epsilon_0 r}=\frac{2k\lambda}{r}$ r : 도선까지의 수직거리 = 인하대학교 차동우 = http://www.kocw.net/home/search/kemView.do?kemId=433549 전기 에너지 ||점 전하 ||$E=\frac1{4\pi\epsilon_0}\frac{q}{r^2}$ ||$\propto r^{-2}$ || ||선 전하 ||$E=\frac1{2\pi\epsilon_0}\frac{\lambda}{r}$ ||$\propto r^{-1}$ || ||면 전하 ||$E=\frac{\sigma}{2\epsilon_0}$ ||$\propto r^0$ || ||부피 전하 ||$E=\frac{\rho}{3\epsilon_0}r$ ||$\propto r^1$ || = 양성일 = (전략) 아무튼 일반적으로 $\vec{E}(\vec{r})=\int\frac{\rho_v dv}{4\pi\epsilon_0 R^2} \vec{a_R}$ D는 E에 $\epsilon_0$ 만 곱하면 되므로 $\vec{D}(\vec{r})=\int\frac{\rho_v dv}{4\pi R^2} \vec{a_R}$ [[http://www.kocw.net/home/search/kemView.do?kemId=320366 src]] 3강 1h 다음 얘기는 [[가우스_법칙,Gauss_s_law#s-9]](ysi) = 판 주위의 전기장 유도법. tmp = 원통이 뚫는 그림(그림생략)을 생각, 원통의 밑면 넓이 A라 하면 $E\cdot 2A=\frac{Q}{\epsilon_0}=\frac{\sigma A}{\epsilon_0}$ $E=\frac{\sigma\cancel{A}}{\epsilon_0\cdot2\cancel{A}}=\frac{\sigma}{2\epsilon_0}$ = 기타 = [[유전체,dielectric]]의 [[유전강도,dielectric_strength]]는 '''전기장'''과 단위가 같음. [[홀_효과,Hall_effect]] '전기장 다발' 에 대해서는 [[전속,electric_flux]]을 참조. ---- Compare: [[자기장,magnetic_field]] Twins: https://ghebook.blogspot.com/2010/07/electric-field.html [[https://terms.naver.com/entry.naver?docId=3537221&cid=60217&categoryId=60217 물리학백과: 전기장]] https://everything2.com/title/electric+field Up: [[장,field]] > [[벡터장,vector_field]] > [[전자기장,electromagnetic_field]] [[전자기학,electromagnetism]]