바이어스 전위 기호 : VD
순방향 바이어스를 가한 상태 (VD < 0 V) forward-bias
p형 물질에 양전위를 n형 물질에 음전위를 가함으로써 만든다.
공핍영역의 폭이 줄어든다. 그로 인해 다수캐리어,majority_carrier 가 접합부를 가로질러 상당히 많이 흐르게 된다.
(Boylestad 11e ko p13-14)
고체 물리학을 이용하여(?) 반도체
다이오드,diode의 일반적인 특성은
순방향 바이어스와 역방향 바이어스의 영역에 대해서 다음 식과 같다.
여기서
: 다이오드에 인가된 순방향 바이어스 전압
: 역방향포화전류
: 이상적인 요소(ideality factor) 동작 조건 및 물리적 구조에 대한 함수, 범위는 1~2 사이이고 많은 요소들에 대해 의존적이다 (이 책에서는
일 때를 가정한다)
위 식의
전압,voltage 는
열전압,thermal_voltage이고
여기서
(Boylestad 11e ko p15)