• 띠,band
       MKL [[원자,atom]] [[전자,electron]] [[에너지준위,energy_level]]? ...
       [[결정,crystal]] 중에서, 전자의 [[에너지준위,energy_level]]가 서로 접근한 다른 원자의 영향을 받아서 띠 모양으로 퍼진 것. [[https://terms.naver.com/entry.nhn?docId=751666&cid=50324&categoryId=50324 src]]
       ''// [[에너지준위,energy_level]]와의 정확한 관계?''
       QQQQQ 띠 diagram에서 y축이 [[에너지준위,energy_level]] ?
• 뤼드베리,Rydberg
       [[에너지준위,energy_level]]
• 물성전자공학,physical_electronics
       [[에너지준위,energy_level]]
• 반도체,semiconductor
       두 Si의 간격을 좁혀가면 오른쪽으로 가면서, 다양한 [[에너지준위,energy_level]](=energy state)들이 생겨남. 그리고 가능하지 않은 energy state가 중간에 생겨난다. (오른쪽으로 가면서 갈라진 부분.)
• 보어_모형,Bohr_model
        1. 양자 조건 : 전자는 원자핵 주위의 특정한 [[에너지준위,energy_level|에너지 준위]]를 가진 몇 개의 일정한 원형 궤도에서만 돌고 있다.
        [[에너지준위,energy_level]] 전이할 때 에너지 흡수/방출
       [[에너지준위,energy_level]]
• 양자수,quantum_number
       오비탈의 [[에너지준위,energy_level]]를 나타냄
       ||주양자수 ||n ||오비탈의 크기와 [[에너지준위,energy_level|에너지 준위]]를 결정[[br]][[보어_모형,Bohr_model|보어 모형]]에서 전자껍질에 해당 ||n=1: K[[br]]n=2: L[[br]]n=3: M...||
       이게 수소가 아닌 원자의 [[오비탈,orbital]]의 [[에너지준위,energy_level]]관련 맞나? CHK
       [[에너지준위,energy_level]]는 $n+l$ 과 관련? CHK
       [[에너지준위,energy_level]]
• 에너지,energy
        [[에너지준위,energy_level]]
• 에너지틈,energy_gap
       즉 [[conduction_band]]에 이르기 위해서는 에너지 레벨을 극복(rel. [[에너지준위,energy_level]], '''energy gap''')해야 한다.
       예를 들어 Ge의 경우 온도가 증가할수록 열에너지를 흡수해서 전도띠로 들어가는 전자들의 수는 급격히 증가한다. 왜냐하면 '''에너지갭'''이 작기 때문이다. 그러나 Si나 GaAs의 경우 전도띠로 들어가는 전자의 수는 상대적으로 작을 것이다. [[에너지준위,energy_level]]의 변화에 대한 민감성은 장점과 단점을 가진다. 광검출기의 설계와 열에 민감한 보안 시스템은 게르마늄 소자가 어울린다. 그러나 안정성을 중요시하는 트랜지스터의 온도와 빛에 대한 민감성이 유해한 영향을 미칠 것이다.
       [[에너지준위,energy_level]]
• 오비탈,orbital
       [[에너지준위,energy_level]]
• 이온화에너지,ionization_energy
       1차 이온화에너지: 가장 높은 [[에너지준위,energy_level]]에 있는 전자를 떼어내는 데 필요한 에너지
• 전자배치,electron_configuration
       [[에너지준위,energy_level]]
       ● Aufbau 원리(쌓음 원리): 전자는 [[에너지준위,energy_level]]가 낮은 [[오비탈,orbital]]에서 높은 곳으로 에너지가 증가하는 순으로 채워진다.

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