Sub:
BJT vs FET
PNP vs NPN
...
BJT - bipolar junction transistor
FET - field
Depletion-mode FET (e.g. JFET)
Enhancement-mode FET (e.g. MOSFET)
단자? 전극? - C B E
{
pnp vs npn
이 둘만?
단자 | en | ko-EN | ko |
E | emitter | 이미터 | 방출극 |
B | base | 베이스 | 통제극 |
C | collector | 컬렉터 | 수집극 |
}
여러 형태가 있으며 가장 중요한 형태는 FET.
처음 개발되었을 때는 트랜지스터는 모두 bipolar였으므로 bipolar라는 명칭이 따로 붙어 있지는 않았는데, FET가 발명되고 나서 구분을 위해 bipolar를 붙이게 됨.
BJT (bipolar junction transistor, bipolar transistor) ¶
보이는 번역들:
바이폴러 접합트랜지스터
양방향 접합 트랜지스터
pnp접합
npn접합
PNP형 BJT
NPN형 BJT
FET (field effect transistor) 전계 효과 트랜지스터 ¶
= n채널 금속산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 (n-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor)
= n채널 MOSFET
Sub:
JFET = Junction FET = Junction Field Effect Transistor
MOSFET = Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
세 개 층과 금속표면으로 구성
세 층
소스source
채널channel
드래인drain
금속 표면
게이트gate
모스펫,MOSFET
{
MOS: metal oxide semiconductor (금속 산화막 반도체)
FET: field effect transistor (장 효과 트랜지스터, 전계 효과 트랜지스터)
금속 산화물 반도체 장(전계) 효과 트랜지스터
metal-oxide-semiconductor FET
Wikipedia에 의하면 그냥 MOS라고도 하는듯 (의미 겹칠 일 없나?)
AKA MOS transistor
M: metal: 금속
O: oxide: 산화막, 게이트와 실리콘 기판 사이의
유전체,dielectric, 게이트유전체? 이산화실리콘(SiO
2)이 주로 쓰임
S: silicon: 실리콘 기판 (p-type?? chk)
Sub:
PMOS(P채널 MOSFET) (p-type MOS) pMOSFET p모스펫 ... pagename TBD
NMOS(N채널 MOSFET) (n-type MOS) nMOSFET n모스펫
CMOS (complementary MOS)
Power MOSFET
LDMOS (lateral diffused MOSFET)
MuGFET (multi-gate field-effect transistor)
FinFET (fin field-effect transistor)
TFT (thin-film transistor)
tmp links ko ¶
Misc: 금속 대신에 폴리실리콘이 사용된 적이(사용될 수도) 있음, 하지만 POSFET이라고는 하지 않음.
History ¶
1947 Bell Labs의 William Shockley, John Bardeen, Walter Houser Brattain (
1956 노벨 물리학상(https://www.nobelprize.org/prizes/physics/1956/summary/) 수상)