• 반도체,semiconductor . . . . 17 matches
        * holes - [[양공,hole]]
        * dopant 주입으로 전자나 양공의 농도 바꾸기
       p형 반도체: hole 농도가 electron 농도보다 매우 높다. (양공이 majority carrier, 전자가 minority carrier)
       n형 반도체: electron 농도가 hole 농도보다 매우 높다. (전자가 majority carrier, 양공이 minority carrier)
       ||주로 ..에 의해 전류가 흐름 (즉 majority carrier가 뭐냐면) ||[[전자,electron]] ||[[양공,hole]](=정공) ||
       ||다수캐리어 ''(이 표 바로 위 row의 반복)'' ||전자 ||양공 ||
       ||소수캐리어(minority carrier) ||양공 ||전자 ||
       ||주위에 ...를 제공 ||[[자유전자,free_electron]] ||[[양공,hole]] ||
       [[양공,hole]]
       [[양공,hole]]
       양공 positive hole 정공 hole
        [[https://terms.naver.com/entry.nhn?docId=3537126&cid=60217&categoryId=60217 물리학백과 양공]]
       acceptor : [[양공,hole]]을 잃으면서 음이온
       '''자유전자-양공 쌍'''
       [[자유전자,free_electron]] - [[양공,hole]] 쌍.
       가전자valence_electron가 에너지를 얻으면, [[공유결합,covalent_bond]]이 끊어지면서 '''자유전자-양공 쌍'''이 생성됨.
       [[양공,hole]]
• 띠,band . . . . 11 matches
       공유결합으로 이루어진 Si 같은 반도체에서, 모든 종류의 thermal_energy가 [[자유전자,free_eletron]]와 [[양공,hole]]을 만드는가? (즉 EHP를 만드는가?) 그렇지 않다. 최소 어느 정도 이상의 에너지가 필요하다. 그것이 '''bandgap energy'''.
       [[전자,electron]]의/[[양공,hole]]의 [[퍼텐셜에너지,potential_energy]]에 대한 도식.
       E,,v,,(x)에 기울기가 있을 때, 양공(+)은 위로 올라간다 (공기방울처럼)
       [[양공,electron_hole]]
       TODO [[http://tomoyo.ivyro.net/123/wiki.php/asdf?action=fullsearch&value=%EC%96%91%EA%B3%B5&context=20 try backsrch 양공]]
        → 전자와 양공의 농도가 같음.
        → 전자의 농도가 양공의 농도보다 큼 (다수캐리어: 전자, 소수캐리어: 양공)
        → 양공의 농도가 전자의 농도보다 큼 (다수캐리어: 양공, 소수캐리어: 전자)
        $D_p$ : 양공의 확산계수
• 이동도,mobility . . . . 5 matches
       전자 이동도가 양공 이동도보다 훨씬 빠르다 - 이유?
       == 양공이동도 hole mobility ==
       [[양공이동도,hole_mobility]]
       [[양공,hole]] [[이동도,mobility]]
       Ndict:"양공 이동도"
• 전하,electric_charge . . . . 4 matches
        가상의 ... 전자의 결핍상태? 양공(electron hole) WpEn:Electron_hole 일수도 있고.... 이 생각이 맞는지 CHK ... [[양공,hole]]
        : [[전하,electric_charge]]를 이동시키는 [[입자,particle]]. ex. 전자, 이온, [[양공,hole]]
        양공은 준입자이므로 '입자 혹은 준입자', '입자 또는 유사한 것'으로 바꾸어야 하지 않나.
• Class_2023_1 . . . . 3 matches
       [[전류밀도,current_density#s-7]] ''J'', ''J'',,n,, (전자), ''J'',,p,, (양공)
       [[양공,hole]]
       [[확산계수,diffusion_coefficient]] - curr. [[확산,diffusion#s-2]] ... ''D'',,n,, (전자), ''D'',,p,, (양공)
• 홀_효과,Hall_effect . . . . 3 matches
       P형 반도체에서 양공이 이동하는 방향과 직각으로 자기장을 인가하면, 양공이 힘을 받아서 진로가 구부러지고, 이로 인해 전기장 발생. (1879년 발견)
       P형 반도체에서, 전기장과 자기장에 의한 단일 양공에 미치는 힘:
• 농도,concentration . . . . 2 matches
       [[양공,hole]]
       == 반도체에서 전자와 양공의 농도 ==
• 다이오드,diode . . . . 2 matches
       [[pn접합,p-n_junction]] [[다이오드,diode]]에 순방향으로 전류가 흐를 때 전도띠의 바닥에 있던 전자가 원자가띠의 꼭대기에 있는 양공으로 떨어지면, 그 사이 티뜸에 해당하는 만큼의 에너지가 빛으로 방출됨
       [[양공,hole]]
• 유동전류,drift_current . . . . 2 matches
       [[양공,hole]] 속도는 [[양공이동도,hole_mobility]] 곱하기 전기장,
• 확산,diffusion . . . . 2 matches
        $D_p$ (양공)
        ''D'',,p,, = 12 cm^^2^^/s (양공)
• 물성전자공학,physical_electronics . . . . 1 match
       양공농도 hole concentration
• 양공,hole . . . . 1 match
       [[원자가띠,valence_band]]에 있는 전자가 상온에서 열에너지를 얻어 [[전도띠,conduction_band]]로 전이하면 그 전자는 [[자유전자,free_electron]]가 된다. 그리고 원자가띠에는 전자의 빈자리가 생기는데 이를 '''양공'''이라 한다.
• 원자가,valence . . . . 1 match
        p-type 반도체 물질: trivalent impurity atom - missing electron or "[[양공,hole|hole]]"
• 유효질량,effective_mass . . . . 1 match
       언급되는 대상은 [[전자,electron]], [[양공,hole]]
• 입자,particle . . . . 1 match
       [[양공,positive_hole]]
• 컨덕티버티,conductivity . . . . 1 match
       [[양공,hole]]

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