{
pnp vs npn
pnp vs npn
이 둘만?
단자 | en | ko-EN | ko |
E | emitter | 이미터 | 방출극 |
B | base | 베이스 | 통제극 |
C | collector | 컬렉터 | 수집극 |
증폭amplification 작용: B의 미세한 신호를 C의 강한 신호로 바꾸기 가능
스위치 작용: 증폭 작용을 극대화시키면, B 전류가 정해진 값 이하 or 이상일 때 C의 스위치 역할을 할 수 있음
스위치 작용: 증폭 작용을 극대화시키면, B 전류가 정해진 값 이하 or 이상일 때 C의 스위치 역할을 할 수 있음
}
여러 형태가 있으며 가장 중요한 형태는 FET.
처음 개발되었을 때는 트랜지스터는 모두 bipolar였으므로 bipolar라는 명칭이 따로 붙어 있지는 않았는데, FET가 발명되고 나서 구분을 위해 bipolar를 붙이게 됨.
처음 개발되었을 때는 트랜지스터는 모두 bipolar였으므로 bipolar라는 명칭이 따로 붙어 있지는 않았는데, FET가 발명되고 나서 구분을 위해 bipolar를 붙이게 됨.
BJT (bipolar junction transistor, bipolar transistor) ¶
FET (field effect transistor) 전계 효과 트랜지스터 ¶
= n채널 금속산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 (n-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor)
= n채널 MOSFET
= n채널 MOSFET
Sub:
{
MOS: metal oxide semiconductor (금속 산화막 반도체)
FET: field effect transistor (장 효과 트랜지스터, 전계 효과 트랜지스터)
금속 산화물 반도체 장(전계) 효과 트랜지스터
JFET = Junction FET = Junction Field Effect Transistor
MOSFET = Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
세 개 층과 금속표면으로 구성MOSFET = Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
세 층
모스펫,MOSFET소스source
채널channel
드래인drain
금속 표면채널channel
드래인drain
게이트gate
{
MOS: metal oxide semiconductor (금속 산화막 반도체)
FET: field effect transistor (장 효과 트랜지스터, 전계 효과 트랜지스터)
금속 산화물 반도체 장(전계) 효과 트랜지스터
metal-oxide-semiconductor FET
Wikipedia에 의하면 그냥 MOS라고도 하는듯 (의미 겹칠 일 없나?)
AKA MOS transistor
Wikipedia에 의하면 그냥 MOS라고도 하는듯 (의미 겹칠 일 없나?)
AKA MOS transistor
M: metal: 금속
O: oxide: 산화막, 게이트와 실리콘 기판 사이의 유전체,dielectric, 게이트유전체? 이산화실리콘(SiO2)이 주로 쓰임 [1]
S: silicon: 실리콘 기판 (p-type?? chk)
O: oxide: 산화막, 게이트와 실리콘 기판 사이의 유전체,dielectric, 게이트유전체? 이산화실리콘(SiO2)이 주로 쓰임 [1]
S: silicon: 실리콘 기판 (p-type?? chk)
Sub:
PMOS(P채널 MOSFET) (p-type MOS)
NMOS(N채널 MOSFET) (n-type MOS)
CMOS (complementary MOS)
Power MOSFET
NMOS(N채널 MOSFET) (n-type MOS)
CMOS (complementary MOS)
Power MOSFET
LDMOS (lateral diffused MOSFET)
MuGFET (multi-gate field-effect transistor)FinFET (fin field-effect transistor)
TFT (thin-film transistor)