대충
전하,electric_charge를 띤
입자,particle가 (자유 공간, vacuum 말고) 어떤
매질,medium 안에서 얼마나 잘 움직일(
운동,motion) 수 있느냐... 에 대한 물리량?
종류는 대략 * carrier의 이동도(electron의 이동도, hole의 이동도), * Hall 이동도 (이상 반도체쪽), *
이온,ion의 이동도(화학쪽), ...and? 등이 있다
rel.
이동(
운동,motion)
속도,velocity ex.
유동속도,drift_velocity ... 얼마나 잘 이동하느냐에 대한 것이므로, 이동속도와 관련.
carrier -
carrier 캐리어,carrier 운반자,carrier 나르개,carrier 중 pagename TBD
산란,scattering이
이동도에 두 가지 영향을 주는데,
lattice_scattering = phonon_scattering ... thermal_vibration 이 이동도에 영향을 줌.
이동도는 대략 온도에 반비례.
ionized impurity scattering ... 불순물과의
쿨롱_힘,Coulomb_force(see
전기력,electric_force)이 이동도에 영향을 줌.
불순물의 농도가 높을수록 이동도가 낮아지지만, 온도가 높을수록 그 영향이 줄어듦.
온도가 낮을 때와 높을 때 위의 각각 하나씩이 dominant... 그래서 μ-T 곡선은 ∧ 모양을 띰. TBW
기호
μ
1. carrier mobility ¶
carrier mobility
번역:
운반자 이동도 (물백 전자이동도)
전자 이동도가 양공 이동도보다 훨씬 빠르다 - 이유?
... 전기장에 의한 가속과 수정
(결정,crystal의 번역)에서의
충돌,collision은 캐리어에
일정한 속도를 주게 되고, 속도
는 전기장
에 비례하게 된다.
그러므로
이고 여기서
는
이동도라 불리고, cm
2/(V·s)으로 표현된다.
실리콘을 예로 들면
전자의 이동도는
μn = 1350 cm
2/(V·s)이고,
정공의 이동도는
μp = 480 cm
2/(V·s)이다.
물론 전자는 전기장과 반대 방향으로 움직이므로, 다음과 같이 속도 벡터로 표현된다.
반면에 정공의 경우는 다음과 같다.
(Razavi 2e ko p19)
1.1. 전자이동도 electron mobility ¶
금속이나 반도체에서 전자가 전기장 내에서 얼마나 빨리 움직이는지를 나타내는 정도. (물백)
1.2. 양공이동도 hole mobility ¶
1.3. 상대이동도 relative mobility ¶
기호
물질 속의 자유 캐리어가 물질을 지나갈 수 있는 능력.
진성캐리어 intrinsic_carrier의
상대이동도는
반도체 | μn (cm2/V·s) |
Si | 1500 |
Ge | 3900 |
GaAs | 8500 |
GaAs의 상대이동도는 Si의 다섯 배 이상인데, 이것은 갈륨비소로 만들어진 소자의 응답시간이 실리콘으로 만들어진 소자의 응답 시간보다 다섯 배 이상 빠르다는 것을 의미한다.
(Boylestad 11e ko p5)
2. Hall mobility ¶
Hall mobility는 발음이 비슷한 hole mobility와 혼동 주의.