대충 전하,electric_charge를 띤 입자,particle가 (자유 공간, vacuum 말고) 어떤 매질,medium 안에서 얼마나 잘 움직일(운동,motion) 수 있느냐... 에 대한 물리량?
종류는 대략 * carrier의 이동도(electron의 이동도, hole의 이동도), * Hall 이동도 (이상 반도체쪽), * 이온,ion의 이동도(화학쪽), ...and? 등이 있다
종류는 대략 * carrier의 이동도(electron의 이동도, hole의 이동도), * Hall 이동도 (이상 반도체쪽), * 이온,ion의 이동도(화학쪽), ...and? 등이 있다
rel.
이동(운동,motion) 속도,velocity ex. 유동속도,drift_velocity ... 얼마나 잘 이동하느냐에 대한 것이므로, 이동속도와 관련.
carrier - carrier 캐리어,carrier 운반자,carrier 나르개,carrier 중 pagename TBD
산란,scattering이 이동도에 두 가지 영향을 주는데,
이동(운동,motion) 속도,velocity ex. 유동속도,drift_velocity ... 얼마나 잘 이동하느냐에 대한 것이므로, 이동속도와 관련.
carrier - carrier 캐리어,carrier 운반자,carrier 나르개,carrier 중 pagename TBD
산란,scattering이 이동도에 두 가지 영향을 주는데,
lattice_scattering = phonon_scattering ... thermal_vibration 이 이동도에 영향을 줌.
기호 μ 이동도는 대략 온도에 반비례.
ionized impurity scattering ... 불순물과의 쿨롱_힘,Coulomb_force(see 전기력,electric_force)이 이동도에 영향을 줌.불순물의 농도가 높을수록 이동도가 낮아지지만, 온도가 높을수록 그 영향이 줄어듦.
온도가 낮을 때와 높을 때 위의 각각 하나씩이 dominant... 그래서 μ-T 곡선은 ∧ 모양을 띰. TBW물질,substance,matter에 따라,
- Si : 낮은 이동도
- GaAs : 높은 이동도 ... 고속의 고주파회로에 사용
1. carrier mobility ¶
carrier_mobility carrier_mobility
carrier mobility
번역:
운반자 이동도 (물백 전자이동도)
운반자 이동도 (물백 전자이동도)
전자 이동도가 양공 이동도보다 훨씬 빠르다 - 이유?
... 전기장에 의한 가속과 수정(결정,crystal의 번역)에서의 충돌,collision은 캐리어에 일정한 속도를 주게 되고, 속도 는 전기장 에 비례하게 된다.
그러므로
이고 여기서 는 이동도라 불리고, cm2/(V·s)으로 표현된다.
실리콘을 예로 들면
전자의 이동도는 μn = 1350 cm2/(V·s)이고,
정공의 이동도는 μp = 480 cm2/(V·s)이다.
물론 전자는 전기장과 반대 방향으로 움직이므로, 다음과 같이 속도 벡터로 표현된다.
반면에 정공의 경우는 다음과 같다.
(Razavi 2e ko p19)
실리콘을 예로 들면
전자의 이동도는 μn = 1350 cm2/(V·s)이고,
정공의 이동도는 μp = 480 cm2/(V·s)이다.
물론 전자는 전기장과 반대 방향으로 움직이므로, 다음과 같이 속도 벡터로 표현된다.
1.1. 전자이동도 electron mobility ¶
금속이나 반도체에서 전자가 전기장 내에서 얼마나 빨리 움직이는지를 나타내는 정도. (물백)
물리학백과: 전자이동도 Electron mobility
전자_이동도
Electron_mobility = https://en.wikipedia.org/wiki/Electron_mobility
전자_이동도
Electron_mobility = https://en.wikipedia.org/wiki/Electron_mobility
1.3. 상대이동도 relative mobility ¶
기호
물질 속의 자유 캐리어가 물질을 지나갈 수 있는 능력.
진성캐리어 intrinsic_carrier의 상대이동도는
GaAs의 상대이동도는 Si의 다섯 배 이상인데, 이것은 갈륨비소로 만들어진 소자의 응답시간이 실리콘으로 만들어진 소자의 응답 시간보다 다섯 배 이상 빠르다는 것을 의미한다.
(Boylestad 11e ko p5)
물질 속의 자유 캐리어가 물질을 지나갈 수 있는 능력.
진성캐리어 intrinsic_carrier의 상대이동도는
반도체 | μn (cm2/V·s) |
Si | 1500 |
Ge | 3900 |
GaAs | 8500 |
(Boylestad 11e ko p5)