대충 전하,electric_charge를 띤 입자,particle가 (자유 공간, vacuum 말고) 어떤 매질 안에서 얼마나 잘 움직일 수 있느냐... 에 대한 물리량?
carrier의 이동도(electron의 이동도, hole의 이동도), Hall 이동도 (반도체쪽), 이온,ion의 이동도(화학쪽), ...and? 등이 있다
carrier의 이동도(electron의 이동도, hole의 이동도), Hall 이동도 (반도체쪽), 이온,ion의 이동도(화학쪽), ...and? 등이 있다
rel.
이동(운동,motion) 속도,velocity ex. 유동속도,drift_velocity ... 얼마나 잘 이동하느냐에 대한 것이므로, 이동속도와 관련.
carrier
산란,scattering이 이동도에 두 가지 영향을 주는데,
이동(운동,motion) 속도,velocity ex. 유동속도,drift_velocity ... 얼마나 잘 이동하느냐에 대한 것이므로, 이동속도와 관련.
carrier
산란,scattering이 이동도에 두 가지 영향을 주는데,
lattice_scattering = phonon_scattering ... thermal_vibration 이 이동도에 영향을 줌.
기호 μ 이동도는 대략 온도에 반비례.
ionized impurity scattering ... 불순물과의 쿨롱_힘,Coulomb_force(see 전기력,electric_force)이 이동도에 영향을 줌.불순물의 농도가 높을수록 이동도가 낮아지지만, 온도가 높을수록 그 영향이 줄어듦.
온도가 낮을 때와 높을 때 위의 각각 하나씩이 dominant... 그래서 μ-T 곡선은 ∧ 모양을 띰. TBW1. carrier mobility ¶
carrier_mobility
전자 이동도가 양공 이동도보다 훨씬 빠르다 - 이유?
전자 이동도가 양공 이동도보다 훨씬 빠르다 - 이유?
... 전기장에 의한 가속과 수정(결정,crystal의 번역)에서의 충돌,collision은 캐리어에 일정한 속도를 주게 되고, 속도 는 전기장 에 비례하게 된다.
그러므로
이고 여기서 는 이동도라 불리고, cm2/(V·s)으로 표현된다.
실리콘을 예로 들면
전자의 이동도는 μn = 1350 cm2/(V·s)이고,
정공의 이동도는 μp = 480 cm2/(V·s)이다.
물론 전자는 전기장과 반대 방향으로 움직이므로, 다음과 같이 속도 벡터로 표현된다.
반면에 정공의 경우는 다음과 같다.
(Razavi 2e ko p19)
실리콘을 예로 들면
전자의 이동도는 μn = 1350 cm2/(V·s)이고,
정공의 이동도는 μp = 480 cm2/(V·s)이다.
물론 전자는 전기장과 반대 방향으로 움직이므로, 다음과 같이 속도 벡터로 표현된다.
1.3. 상대이동도 relative mobility ¶
상대이동도 relative_mobility
기호
물질 속의 자유 캐리어가 물질을 지나갈 수 있는 능력.
진성캐리어 intrinsic_carrier의 상대이동도는
GaAs의 상대이동도는 Si의 다섯 배 이상인데, 이것은 갈륨비소로 만들어진 소자의 응답시간이 실리콘으로 만들어진 소자의 응답 시간보다 다섯 배 이상 빠르다는 것을 의미한다.
(Boylestad 11e ko p5)
기호
물질 속의 자유 캐리어가 물질을 지나갈 수 있는 능력.
진성캐리어 intrinsic_carrier의 상대이동도는
반도체 | μn (cm2/V·s) |
Si | 1500 |
Ge | 3900 |
GaAs | 8500 |
(Boylestad 11e ko p5)