이동도,mobility (rev. 1.8)

대충 전하,electric_charge를 띤 입자,particle가 (자유 공간, vacuum 말고) 어떤 매질,medium 안에서 얼마나 잘 움직일(운동,motion) 수 있느냐... 에 대한 물리량?
종류는 대략 * carrier의 이동도(electron의 이동도, hole의 이동도), * Hall 이동도 (이상 반도체쪽), * 이온,ion의 이동도(화학쪽), ...and? 등이 있다

rel.
이동(운동,motion) 속도,velocity ex. 유동속도,drift_velocity ... 얼마나 잘 이동하느냐에 대한 것이므로, 이동속도와 관련.
carrier
산란,scattering이 이동도에 두 가지 영향을 주는데,

lattice_scattering = phonon_scattering ... thermal_vibration 이 이동도에 영향을 줌.

이동도는 대략 온도에 반비례. $\mu_L\propto \frac1{T^{3/2}}$

ionized impurity scattering ... 불순물과의 쿨롱_힘,Coulomb_force(see 전기력,electric_force)이 이동도에 영향을 줌.

불순물의 농도가 높을수록 이동도가 낮아지지만, 온도가 높을수록 그 영향이 줄어듦. $\mu_I \propto \frac{T^{3/2}}{N_I}$

온도가 낮을 때와 높을 때 위의 각각 하나씩이 dominant... 그래서 μ-T 곡선은 ∧ 모양을 띰. TBW

기호 μ $\mu$

물질,substance,matter에 따라,

Si : 낮은 이동도
GaAs : 높은 이동도 ... 고속의 고주파회로에 사용

1. carrier mobility

1.1. 전자이동도 electron mobility
1.2. 양공이동도 hole mobility
1.3. 상대이동도 relative mobility

2. Hall mobility

3. See also

[edit]

1. carrier mobility ¶

carrier_mobility
전자 이동도가 양공 이동도보다 훨씬 빠르다 - 이유?

... 전기장에 의한 가속과 수정(결정,crystal의 번역)에서의 충돌,collision은 캐리어에 일정한 속도를 주게 되고, 속도 $v$ 는 전기장 $E$ 에 비례하게 된다.

$v\propto E$

그러므로

$v=\mu E$

이고 여기서 $\mu$ 는 이동도라 불리고, cm²/(V·s)으로 표현된다.
실리콘을 예로 들면
전자의 이동도는 μ_n = 1350 cm²/(V·s)이고,
정공의 이동도는 μ_p = 480 cm²/(V·s)이다.
물론 전자는 전기장과 반대 방향으로 움직이므로, 다음과 같이 속도 벡터로 표현된다.