Difference between r1.42 and the current
@@ -106,6 +106,9 @@
전위차는 V=kQ/R따라서
$C=\frac{Q}{V}=\frac{Q}{kQ/R}=\frac{R}{k}=4\pi\epsilon_0R$
= parasitic capacitance =
[[parasitic_capacitance]] - writing
= See also =
[[축전기,capacitor]] 극판 사이의 [[유전체,dielectric]]는 '''전기용량'''을 높여준다. [[유전상수,dielectric_constant]] κ배 만큼.
@@ -116,7 +119,6 @@
http://www.ktword.co.kr/test/view/view.php?m_temp1=4576&id=1354 정전용량Up:
[[전자기학,electromagnetism]]
AKA 정전용량, 커패시턴스, 캐패시턴스
기호
단위 F (farad)
축전기,capacitor에 충전이 완료된 후,
축전기에 쌓인 전하량(전하,electric_charge 양, Q, q)을
축전기 양 끝의 전위차(전위,electric_potential 차이,difference ΔV, 전압,voltage)로 나눈 물리량.
커패시터(축전기,capacitor)에 축적되는 전하량(Q)은 전압(V)이 높을수록, 커패시턴스가 클수록 많이 축적된다.
여기서,
같은 뜻의 다른 표현은
단위 F (farad)
1F = 1C/V
(Q=CV, C=Q/V 에서 1F=1C/V)
매우 큰 단위라서 μF, nF, pF가 쓰인다.
정의:(Q=CV, C=Q/V 에서 1F=1C/V)
매우 큰 단위라서 μF, nF, pF가 쓰인다.
축전기,capacitor에 충전이 완료된 후,
축전기에 쌓인 전하량(전하,electric_charge 양, Q, q)을
축전기 양 끝의 전위차(전위,electric_potential 차이,difference ΔV, 전압,voltage)로 나눈 물리량.
같은 뜻의 다른 표현은
... source? q, C, ΔV 모두 양수라는데?
1 F ≡ 1 C/V
저장되는 에너지는 CHK 1 F ≡ 1 C/V
1. tmp 1 ¶
커패시터에 축적되는 전하 q는
전류는
대입하면
따라서 capacitor 양단 전위차는 전류를 적분한 형태. 그리고 t에 대해 미분하면
i에 대해 정리하면
L, C, v, i 표로 만들면
L(inductance) | C(capacitance) | |
voltage(v) | ||
current(i) |
2. 평행판 축전기의 전기용량 ¶
평행판 축전기 정전용량(=전기용량)은, 유전율이 클 수록(분극,polarization 정도가 심해질수록), 판 면적(S)이 넓을수록, 판 사이의 간격이 좁아질수록 커진다.
여기서
또는
또는
평행판 축전기의 전기 용량 유도법
from 二友출판사 기초물리학:
평행판 축전기의 전기용량 유도
면적 A인 두 도체판이 d만큼 떨어져 있고 각각 +Q, -Q로 대전되어 전하밀도
이고 가장자리 효과를 무시하면 도체판 사이 전기장은
전위차는
따라서 전기용량은
유전체,dielectric를 삽입한 후의 전기용량은
3. 고립된 전도체 구의 전기용량 ¶
from 二友출판사 기초물리학:
반지름 R인 구의 전기용량 계산법.
구에 전하 Q가 대전되면 무한 원점에서의 전위는 0이고 구의 전위는 kQ/R이므로
전위차는 V=kQ/R
따라서
전위차는 V=kQ/R
따라서