가우스_법칙,Gauss_s_law

가우스 면 내부 전하 내부 전하의 부호 나오는 전기선속
전하가 없으면 $q_{\textrm{in}}=0$ $\Phi_E=0$
양의 전하가 있으면 $q_{\textrm{in}}>0$ $\Phi_E>0$
음의 전하가 있으면 $q_{\textrm{in}}<0$ $\Phi_E<0$
결론은 폐곡면 내부전하,electric_charge와 나오는 전속,electric_flux이 비례한다는 것.
$\Phi_E\propto q_{\textrm{in}}$
$\Phi_E=\frac{q_{\textrm{in}}}{\epsilon_0}$
$\Phi_E=\int\vec{E}\cdot d\vec{A}=\frac{q_{\textrm{in}}}{\epsilon_0}$

폐곡면(가우스_곡면,Gaussian_surface)을 통과하는 전기장 다발 ΦE는 폐곡면 안에 든 총 전하량 Qin에 비례한다.
{
가우스 면, 가우스 곡면, 가우스 표면

가상의 폐곡면(닫힌 면)
임의로 잡을 수 있음
따라서 보통 대칭성을 이용할 수 있고 계산이 최소화되는 것을 선택하는 듯..
보통 구면, 정육면체, 원통형(실린더형) 예를 드는 듯..


(전하 $q$ 를 둘러싼) 폐곡면을 지나는 알짜선속(전속,electric_flux)은
  • 폐곡면 내부의 전하 $q$ 에만 의존 (밖의 전하는 신경쓸 필요 X)
  • 폐곡면의 모양에 무관
  • 크기는 $\frac{q}{\epsilon_0}$

폐곡면 외부의 전하는 선속? 전기장선?? 을 구부릴 수는 있어도 폐곡면을 나오는 선속의 수에는 영향을 끼치지 못한다. CHK

surface대신 shell이라고도 하는 듯


대칭성,symmetry...을 잘 찾아서 가우스면을 잡으면 편하다...던데....
점대칭 point symmetry
선대칭 line symmetry
면대칭 plane symmetry

전기장에 대한 것과 자기장에 대한 것이 있는데 현재 내용은 대부분 전기장에 대한 것이며 자기장에 대한 것은 맨 밑으로.

다음과 같은 여러 표현이 있음

$\oint_S \vec{E} \cdot d\vec{a} = \frac{Q_{\textrm{in}}}{\epsilon_0}$

$\oint\vec{E}\cdot d\vec{A}=\Phi=\frac{q_{\textrm{encl}}}{\epsilon_0}$
$\vec{E}\cdot d\vec{A}$ 가 스칼라곱(scalar product)이므로, 전속,electric_flux은 스칼라 양

$\mathrm{\Phi}_{\rm E}=\oint\vec{E}\cdot d\vec{A}=\frac{Q_{\rm in}}{\epsilon_0}$
ΦE = 전속,electric_flux
E = 전기장,electric_field
Q = 전하,electric_charge
A는 면에 대한 법선벡터? CHK

이중적분기호 $\iint$ 로 표기하는 곳도 있음


전속으로 표현하면, 알짜 전하(net charge) qenc가 들어 있는 것(?)의 표면을 알짜 전속(net flux) Φ가 통과? 할때
$\varepsilon_0\Phi =q_{\textrm{enc}}$
전기장으로 표현하면,
$\varepsilon_0\oint\vec{E}\cdot d\vec{A}=q_{\textrm{enc}}$

(Halliday 10e)

$\Phi=\frac{q}{\varepsilon_0}$
$\oint\vec{E}\cdot\vec{A}=\frac{q}{\varepsilon_0}$
dA 아닌가? CHK

(Bauer)

(진공의 유전율) × (닫힌 곡면에 대한 플럭스) = (닫힌 곡면 안에 든 전하량)
(닫힌 곡면에 대한 플럭스) = (닫힌 곡면 안에 든 전하량) / ε0
가우스 곡면에 대한 플럭스는 전기장의 그 곡면에 대한 면적분,surface_integral으로 주어짐.
닫힌 곡면 S, 그 안의 총 전하량 q, 닫힌 곡면 위 각 지점에서의 전기장 값을 $\vec{E}$ 라 하면, 가우스 법칙
$\oint_S \vec{E}\cdot d\vec{A}=\frac{q}{\varepsilon_0}$

([https]물리산책 가우스의 법칙)



1. 쿨롱 법칙과의 관계

쿨롱_법칙,Coulomb_s_law과 같은 말을 하고 있다. 가우스 법칙은 쿨롱 법칙의 새로운 형태다.
가우스 면이라는 가상의 폐곡면...

$|\vec{E}|\cdot 4\pi r^2 = \frac{Q}{\varepsilon_0}$ (가우스 법칙 스타일)
$\small\updownarrow$
$|\vec{E}|=\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\frac{Q}{r^2}$ (쿨롱 법칙 스타일)

쿨롱 법칙을 쓰면 힘든 특별한 문제들을 Gauss법칙으로 쉽게 풀 수 있다.

가우스 법칙에서 쿨롱 법칙을 이끌어내기
점 전하 q가 원점에 있고, 반지름 r인 공 표면에서 전기장 E의 크기는 구의 대칭성 때문에 일정하고, 방향은 밖으로 나아가는 방향, 등을 가정하면 (CHK)
$\oint_S \vec{E}\cdot d\vec{A}=E\oint_S dA=E(4\pi r^2)=\frac{q}{\epsilon_0}$
따라서
$E=\frac1{4\pi\epsilon_0}\frac{q}{r^2}$
이렇게 쿨롱 법칙이 나옴. See also 쿨롱_법칙,Coulomb_s_law

2. tocleanup

균일한 전기장 $E$ 가 있을 때, 이 전기장에 수직이고 면적이 $A$ 인 면을 지나는 전기장 선속(전기선속, 전속,electric_flux) $\phi$
$\phi=E\cdot A$
면적 $A$ 가 전기장 $E$ 와 수직하지 않을 때, 전기장 $E$ 에 수직한 면적 $A_{\bot}$ 을 지나는 전속과 면적 $A$ 를 지나는 전속이 같다.
$\phi=E\cdot A_{\bot}=EA\cos\theta$
일반적으로는
$\phi=\oint E\cdot dA$

전하,electric_charge $q$ 를 중심으로 하는 반지름 $r$ 인 구면을 지나는 전속 $\phi$ 는,
$\phi=\oint E\cdot dA=\frac{kq}{r^2}\cdot 4\pi r^2=4\pi kq$
그리고 $k=\frac1{4\pi\epsilon_0}$ 이므로
$\phi=\frac{q}{\epsilon_0}$
따라서
$\oint E\cdot dA=\frac{q}{\epsilon_0}$


(전기장의 세기) ∝ (단위면적당 전기력선의 수) = (전기력선의 수) / (면적)
즉,
(면적) × (전기장의 세기) ∝ (전기력선의 수)

식으로 ΦE=EA ? CHK
ΦB=BA (자속,magnetic_flux=자기장,magnetic_field×면적 의 경우)와 비슷?


전기장,electric_field

3. 차동우

폐곡면(가우스 면, 가우스 곡면, 가우스 폐곡면)을 통과하는 전기장,electric_field의 총 선속,flux (i.e. 전속,electric_flux) $\Phi_E:$
$\Phi_E=\oint_S\vec{E}\cdot d\vec{a}$
그 폐곡면 내 포함된 알짜전하(+, -을 상쇄하고 남는 전하) $q:$
$q=\int_V \rho dv$
$\Phi_E,\;q$ 사이에는
$\Phi_E=\frac{q}{\epsilon_0}$ 가 성립
→ 이것을 $\rho,\;\vec{E}$ 로 표현하면
$\oint_S\vec{E}\cdot d\vec{a}=\frac{1}{\epsilon_0}\int_V \rho dv$

* 실제로는 쿨롱 법칙보다 가우스 법칙을 많이 씀
* 가우스 법칙 좌변의 적분은 가우스 표면에서 전기장 값을 먼저 알아야 구하는 게 가능
* 가우스 법칙으로 전기장을 구할 수는 없지만, 가우스 법칙 자체는 언제나 성립
* 전하 분포가 특별한 경우에만 (전하분포에 대칭성이 있을 때) 가우스 법칙을 써서 전기장을 구할 수 있음

그리하여 가우스 법칙을 적용가능한 전하분포 패턴은 한정되어 있는데
  • 점전하
  • 무한히 긴 균일한 선전하
  • 무한히 넓은 균일한 면전하

하나씩 보면,

점전하가 만드는 전기장

점전하 $q$ 를 중심으로 하고, 반지름 $r$ 인 구의 표면을 가우스 폐곡면으로 정함.
그러면 대칭성에 의해 구 표면 전기장의 세기는 모두 같고, 전기장 방향은 모두 $\hat{r}$ 방향.
$\vec{E}(\vec{r})=E(r)\hat{r}$
그래서, 법칙의 좌변: $\vec{E}$$\vec{a}$ 방향이 같으므로, $\vec{E}\cdot d\vec{a}=Eda$ 이므로
$\oint_S\vec{E}\cdot d\vec{a}=\oint_S Eda=E\oint da=4\pi r^2 E$
법칙의 우변:
$\int_V\rho dv=q$
따라서
$4\pi r^2 E=\frac{q}{\epsilon_0}$
$\vec{E}(\vec{r})=\frac{1}{4\pi\epsilon_0}\frac{q}{r^2}\hat{r}$
이 결과를 보면 쿨롱 법칙과 동일한 것을 알 수 있음

무한히 긴 균일한 선전하가 만드는 전기장

가우스표면은 원통 모양,
선전하가 중심축에 있고,
원통 단면 반지름 $\rho$ 이고,
길이가 $l$ 인 원통 표면을 가우스 폐곡면으로 정함
원통 표면에서는 전기장 세기가 모두 같고, 원통 표면 어디서나 전기장 방향은 $\hat{\rho}$

법칙의 좌변:
$\oint_S\vec{E}\cdot d\vec{a}=2\pi\rho l E$
법칙의 우변에 있는 적분:
$\int_V\rho dv=\lambda l$ (람다: 선전하밀도, see 전하밀도,charge_density)
대입하면
$2\pi\rho l E=\frac{\lambda l}{\epsilon_0}$
$E(\rho)=\frac1{2\pi\epsilon_0}\frac{\lambda}{\rho}$


from https://youtu.be/UaPnaXXYIzs 차동우 가우스 법칙

4. 미분 표현

$\nabla\cdot\vec{E}=\frac{\rho}{\epsilon_0}$

5. 가우스 법칙의 미분형태

발산정리,divergence_theorem로 유도한다고 함

전기장

$\nabla\cdot\vec{D}=\rho_0$
$\nabla\cdot\vec{E}=\frac{\rho}{\epsilon_0}$
$\vec{D}$ : 전기변위장,electric_displacement_field(=전속밀도)
$\rho_0$ : 자유전하밀도
$\rho$ : 전하밀도

자기장

$\nabla\cdot\vec{H}=0$

CHK

6. 적분 표현


7. 가우스의 전기장 법칙


가정: 구형 도체
표면(가우스 면)에서 나가는 전기장 E (전기장,electric_field)
반지름 R
표면적 A
내부 전하 q (전하,electric_charge)
  • 도체 내부의 전기장은 0이다. (표면에만 있다.)
  • 도체 표면과 전기장선의 각도는 90°이다.

전기장의 세기 $|\vec{E}|=k\frac{q}{R^2}$ 이고 공의 표면적 $A=4\pi R^2$ 이므로
$E\cdot A=4\pi k q$
여기에
$k=\frac{1}{4\pi\epsilon_0}$
를 넣으면
$E\cdot A=\frac{q}{\epsilon_0}$


$\Phi_{E}=\sum|\vec{E}|\cdot\Delta A\cdot\cos\theta = \frac{Q}{\epsilon_0}$
Q = 표면에 싸인 내부의 전하량


평행판 축전기,capacitor를 가정하면, (이렇게 해야 다음 내용이 말이 되는지?? CHK)
(그걸 가정하는 이유는 전기장이 판 사이에서 일정하다고 놓기 위한 것이 맞는지? CHK)
$|\vec{E}|\cdot A\cdot\cos0\textdegree=|\vec{E}|\cdot A$
$|\vec{E}|=\frac{Q}{\epsilon_0A}$
여기서 $\frac{Q}{A}$ 는 면전하밀도 $\sigma$ 이므로 (전하밀도,charge_density)
$|\vec{E}|=\frac{\sigma}{\epsilon_0}$












8. 가우스의 자기 법칙


AKA 자기장에 대한 가우스의 법칙, 자기에 관한 가우스의 법칙

$\oint\vec{B}\cdot d\vec{A}=0$
자하,magnetic_charge는 검출되지 않았다는 실험 사실에 근거함.

9. ysi


먼저 전속,electric_flux(Ψ)은 전속밀도(D)에 대해
$\Psi=\int\vec{D}\cdot d\vec{S}$ (임의의 면적에 대해)
인데, 가우스법칙
$\Psi=\oint\vec{D}\cdot d\vec{s}$ (폐곡면에 대해)
$=Q_{\textrm{enclosed}}$ (Q는 그 폐곡면이 싸고 있는 전하량)

즉, 전하에서 발산해나오는 전속은 그 원인이 되는 전하량과 같다는 것.

가우스 법칙은 대칭성이 확보된 때만 적용한다.
가우스평면(가우스면, 가우시안 폐곡면)은 대칭성도 중요하고
다음 조건도...
접선 조건 : $\vec{D}//d\vec{s} \Rightarrow \vec{D}\cdot d\vec{s} = Dds$ (계산이 편해짐)
또한 $\Rightarrow \vec{D}//\Delta\vec{S} \Rightarrow \vec{D}\cdot\vec{S}=D\Delta S$
법선 조건: $\vec{D}\bot\Delta\vec{S} \Rightarrow \vec{D}\cdot\Delta\vec{S}=0$
접선조건만으로 되면 충분하겠지만 안되면 법선조건도 써서.

가우스법칙 적용 예: y축 따라가는 무한직선, 선전하밀도 $\rho_L$
$\vec{D}=D_{\rho}\vec{a_{\rho}}$ , 무엇의 함수냐면
$=D_{\rho}(\rho)\vec{a_{\rho}}$ 즉 rho만의 함수. (D는 phi, z에 관계없이 일정)
$\oint\vec{D}\cdot d\vec{s}=Q_{enc}$
좌변 = 옆면적분 + 윗면적분 + 아랫면적분
$=\int\nolimits_{\phi=0}^{2\pi} \int\nolimits_{z=0}^{h} D_{\rho} \vec{a_{\rho}} \cdot \rho d\phi dz \vec{a_{\rho}}+0+0$
$=D_{\rho} (2\pi\rho) (h)$
$=2\pi h \rho D_{\rho}$
우변
$=\rho_{L} h$
즉 h가 소거되고
$2\pi \rho D_{\rho} = \rho_L$
구하는 것은
$D_{\rho}=\frac{\rho_L}{2\pi\rho}$
따라서
$\vec{D}=\frac{\rho_L}{2\pi\rho}\vec{a_{\rho}}$ (C/m2)
$\vec{E}=\frac{\rho_L}{2\pi\epsilon_0\rho}\vec{a_{\rho}}$ (V/m)

[http]src 3강 1h:2m 2020-10-14
Next: see 발산,divergence#s-1(ysi)

10. QQQQ

Fleisch:
$\oint_S \vec{E} \cdot \hat{n} da = \frac{q_{enc}}{\epsilon_0}$
여기 대개의 표현:
$\oint_S \vec{E} \cdot d\vec{a} = \frac{q_{enc}}{\epsilon_0}$
같은 뜻일텐데 어떻게 같은지 확인